恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司耿文駿獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體裝置結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN109817716B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201811229473.3，技術領域涉及：H10D30/62；該發明授權半導體裝置結構及其形成方法是由耿文駿;林祐寬;楊昌達;王屏薇設計研發完成，并于2018-10-22向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體裝置結構及其形成方法在說明書摘要公布了：提供半導體裝置結構及其形成方法。此方法包含在半導體基底之上形成第一鰭結構、第二鰭結構、及第三鰭結構。此方法包含在第一鰭結構和第二鰭結構的側壁之上形成第一間隔物元件以及部分地移除第一鰭結構和第二鰭結構。此方法包含在第三鰭結構的側壁之上形成第二間隔物元件以及部分地移除第三鰭結構。第二間隔物元件高于第一間隔物元件。此方法包含在第一鰭結構、第二鰭結構、及第三鰭結構之上外延生長半導體材料，則在第一鰭結構及第二鰭結構上形成合并半導體元件，且在第三鰭結構上形成隔離半導體元件。
本發明授權半導體裝置結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置結構的形成方法，包括：在一半導體基底之上形成一第一鰭結構、一第二鰭結構、及一第三鰭結構；在該第一鰭結構和該第二鰭結構的多個側壁之上形成多個第一間隔物元件；在形成該些第一間隔物元件之后，部分地移除該第一鰭結構和該第二鰭結構；在該第三鰭結構的多個側壁之上形成多個第二間隔物元件，其中各個該些第二間隔物元件高于各個該些第一間隔物元件，且在形成該些第一間隔物元件之前形成該些第二間隔物元件；在形成該些第二間隔物元件之后，部分地移除該第三鰭結構；以及在部分地移除該第一鰭結構、該第二鰭結構、和該第三鰭結構之后，在該第一鰭結構、該第二鰭結構、及該第三鰭結構之上外延生長一半導體材料，從而在該第一鰭結構及該第二鰭結構上形成一合并半導體元件，且在該第三鰭結構上形成一隔離半導體元件。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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