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恭喜中國科學院上海微系統與信息技術研究所馮飛獲國家專利權

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龍圖騰網恭喜中國科學院上海微系統與信息技術研究所申請的專利富集器芯片結構及其制備方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN111483972B

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-22發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:201910075661.3,技術領域涉及:B81B7/02;該發明授權富集器芯片結構及其制備方法是由馮飛;趙斌;李昕欣設計研發完成,并于2019-01-25向國家知識產權局提交的專利申請。

富集器芯片結構及其制備方法在說明書摘要公布了:本發明提供一種富集器芯片結構及制備方法,制備包括:提供襯底,制備凹槽結構;制備若干個微柱結構,相鄰所述微柱結構基于所述開口嵌套設置;制備微流控端口,與所述凹槽結構相連通;及提供一蓋板,并將所述蓋板制備于所述襯底形成有所述凹槽結構的一側,且所述蓋板至少覆蓋所述凹槽結構。本發明通過在凹槽結構形成的腔體內設計嵌套設置的微柱結構陣列,可以獲得大的表面積,并使得流場均勻分布,且延長氣體流路路徑,進而提高吸附材料的均勻性,提高吸附氣體的富集率,另外,通過在腔體內表面構筑一層高比面積的介孔氧化硅,如納米介孔氧化硅,可極大地增加腔體內的內表面積,從而進一步提高吸附材料的承載量,提高富集器芯片結構的富集率。

本發明授權富集器芯片結構及其制備方法在權利要求書中公布了:1.一種富集器芯片結構的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括如下步驟:提供一襯底,并所述襯底中制備凹槽結構;于所述襯底中制備若干個微柱結構,所述微柱結構位于所述凹槽結構中,所述微柱結構包括依次連接的第一延伸部、連接部以及第二延伸部,所述第一延伸部、所述連接部及所述第二延伸部圍成一具有開口的空間區域,相鄰所述微柱結構基于所述開口嵌套設置;所述微柱結構的形狀包括U型,所述第一延伸部及所述第二延伸部構成U型的所述微柱結構的兩側部,所述連接部構成U型的所述微柱結構的底部,所述微柱結構之間具有間隙;于所述襯底中制備至少兩個微流控端口,所述微流控端口與所述凹槽結構相連通;及提供一蓋板,并將所述蓋板制備于所述襯底形成有所述凹槽結構的一側,且所述蓋板至少覆蓋所述凹槽結構。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院上海微系統與信息技術研究所,其通訊地址為:200050 上海市長寧區長寧路865號;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。

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