買(mǎi)專(zhuān)利賣(mài)專(zhuān)利找龍圖騰，真高效！ 查專(zhuān)利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專(zhuān)利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)恭喜中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN112216606B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：201910627198.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/308；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法是由畢曉峰;紀(jì)世良;張海洋設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-07-10向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，形成方法包括：提供待刻蝕層，所述待刻蝕層表面具有襯墊層；在所述襯墊層的表面形成若干相互分立的第一掩膜結(jié)構(gòu)；以所述第一掩膜結(jié)構(gòu)為掩膜，刻蝕所述待刻蝕層和所述襯墊層，在所述待刻蝕層內(nèi)形成凹槽，并使所述第一掩膜結(jié)構(gòu)形成第一初始待去除層；對(duì)所述第一初始待去除層進(jìn)行改性處理工藝，形成第一待去除層；刻蝕去除所述襯墊層和所述第一待去除層。所述方法形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能較好。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：提供待刻蝕層，所述待刻蝕層表面具有襯墊層；在所述襯墊層的表面形成若干相互分立的第一掩膜結(jié)構(gòu)；以所述第一掩膜結(jié)構(gòu)為掩膜，刻蝕所述待刻蝕層和所述襯墊層，在所述待刻蝕層內(nèi)形成凹槽，并使所述第一掩膜結(jié)構(gòu)形成第一初始待去除層；對(duì)所述第一初始待去除層進(jìn)行改性處理工藝以提高材料活性，形成第一待去除層；同時(shí)刻蝕去除所述襯墊層和所述第一待去除層。

如需購(gòu)買(mǎi)、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類(lèi)似專(zhuān)利技術(shù)，可聯(lián)系本專(zhuān)利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區(qū)張江路18號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話(huà)0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。