恭喜三星電子株式會社韓正勛獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜三星電子株式會社申請的專利半導體裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110911372B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-18發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910874908.8，技術領域涉及：H01L23/485；該發明授權半導體裝置是由韓正勛;金東完;金東浩;徐在源設計研發完成，并于2019-09-17向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體裝置在說明書摘要公布了：一種半導體裝置，包括：半導體襯底，其包括芯片區域和芯片區域周圍的邊緣區域；半導體襯底上的下絕緣層；芯片區域上的下絕緣層上的芯片焊盤；設置在下絕緣層上以覆蓋芯片焊盤的上絕緣層，上絕緣層和所述下絕緣層包括不同的材料；以及，在芯片區域上并連接到芯片焊盤的再分布芯片焊盤。上絕緣層包括在芯片區域上具有第一厚度的第一部分，在邊緣區域上具有第二厚度的第二部分，以及在邊緣區域上的第三部分，第三部分從第二部分延伸、與第一部分間隔開，并且具有遠離第二部分而減小的厚度。第二厚度小于第一厚度。
本發明授權半導體裝置在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，包括：半導體襯底，其包括芯片區域和所述芯片區域周圍的邊緣區域；下絕緣層，其位于所述半導體襯底上；芯片焊盤，其位于所述芯片區域上的所述下絕緣層上；上絕緣層，其位于所述下絕緣層上以覆蓋所述芯片焊盤，所述上絕緣層包括與所述下絕緣層不同的絕緣材料；和再分布芯片焊盤，其位于所述芯片區域上以穿透所述上絕緣層并連接到所述芯片焊盤，其中所述上絕緣層包括：第一部分，其位于所述芯片區域上并具有第一厚度；第二部分，其位于所述邊緣區域上，所述第二部分從所述第一部分延伸并具有小于所述第一厚度的第二厚度；以及第三部分，其位于所述邊緣區域上，所述第三部分從所述第二部分延伸、與所述第一部分間隔開，并且具有隨著遠離所述第二部分而減小的厚度，其中所述上絕緣層的第三部分具有圓形側壁。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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