恭喜國科大杭州高等研究院張力波獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜國科大杭州高等研究院申請的專利基于組分和柵壓聯合調控的場效應晶體管及制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119604046B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-18發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510145273.3，技術領域涉及：H10F30/282；該發明授權基于組分和柵壓聯合調控的場效應晶體管及制備方法是由張力波;張拾;張運鐸;蕭克寧;王林;陳效雙設計研發完成，并于2025-02-10向國家知識產權局提交的專利申請。
本基于組分和柵壓聯合調控的場效應晶體管及制備方法在說明書摘要公布了：本發明的基于組分和柵壓聯合調控的場效應晶體管及其制備方法，在本征低阻硅襯底上是二氧化硅層，在二氧化硅層上是源、漏金屬電極，源、漏電極為金屬復合電極，包括鉻電極和金電極，源、漏電極溝道填充的底層為鉍硒氧納米片，鉍硒氧納米片上為黑砷磷納米片和頂柵鉍硒氧納米片介質層，源、漏電極和柵電極與相應的引線電極相連用于連接外部測試電路。本發明的基于組分和柵壓聯合調控的場效應晶體管及其制備方法，通過鉍硒氧納米片封裝，兼具調整黑砷磷的組分和頂柵柵壓來優化器件在可見光、近紅外和中波紅外范圍內的光電性能。
本發明授權基于組分和柵壓聯合調控的場效應晶體管及制備方法在權利要求書中公布了：1.基于組分和柵壓聯合調控的場效應晶體管，其特征在于：其結構為，在本征低阻硅襯底1上是二氧化硅層2，在二氧化硅層2上是源、漏金屬電極，源、漏電極為金屬復合電極，包括鉻電極3和金電極4，源、漏電極溝道填充的底層為鉍硒氧納米片5，鉍硒氧納米片5上為黑砷磷納米片6和頂柵鉍硒氧納米片7介質層，源、漏電極和柵10電極與相應的引線電極相連用于連接外部測試電路。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人國科大杭州高等研究院，其通訊地址為：310024 浙江省杭州市西湖區象山支弄1號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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