恭喜上海美維科技有限公司王昌水獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜上海美維科技有限公司申請的專利線路板制作結構及線路板制作方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114585154B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202011401033.9,技術領域涉及:H05K1/11;該發明授權線路板制作結構及線路板制作方法是由王昌水;段龍輝;于民生設計研發完成,并于2020-12-02向國家知識產權局提交的專利申請。
本線路板制作結構及線路板制作方法在說明書摘要公布了:本發明提供一種線路板制作結構及線路板制作方法,制作方法包括:提供定義有盲槽區的基板,基于激光切割在盲槽區制作PI膜底部保護層,將基板與半固化片和銅箔進行層壓,基于激光切割定義揭蓋區,在揭蓋區貼附藍膜,去除揭蓋藍膜得到盲槽。本發明提供一種新型的PCB線路板中盲槽的制作方法,基于本發明的技術方案,通過PI膜作為線路圖形部的底部保護層,再通過半固化片及金屬箔進行層壓,并通過藍膜揭蓋的方式,可以有效減少盲槽制作中的殘膠,可以適用于PCB尺寸較小以及對盲槽制作精度要求較高的線路板制作。
本發明授權線路板制作結構及線路板制作方法在權利要求書中公布了:1.一種線路板的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括如下步驟:提供基板,所述基板的第一面定義有盲槽區,所述盲槽區制備有線路圖形部;于所述第一面上形成底部阻礙部,所述底部阻礙部與所述線路圖形部基于同一工藝、同一材料制備,并在其中制備凹槽;所述底部阻礙部與所述線路圖形部之間具有間距,且同時作為輔助揭蓋部;所述凹槽的寬度介于0.15-1mm之間,當形成多個所述凹槽時,所述凹槽之間的間距介于0.2-5mm之間;對所述底部阻礙部進行表面處理的工藝,當所述底部阻礙部厚度小于15μm時,所述表面處理工藝選擇為超粗化處理;在所述第一面上形成至少覆蓋所述盲槽區的保護膜,所述保護膜包括PI膜;所述PI膜的一面涂覆有膠層,且所述PI膜具有所述膠層的一面與所述基板的所述第一面相接觸,其中,所述PI膜與所述基板之間具有第一結合力,所述第一結合力介于5g25mm-40g25mm之間;采用激光切割工藝對所述保護膜進行分割,對所述保護膜進行分割的過程中采用UV激光切割,UV激光切割的切割速度介于200-400mms之間,能量介于3-6watts之間;或者,對所述保護膜進行分割的過程中采用CO2激光切割工藝,CO2激光切割的能量介于0.5-2mj之間,掩膜版尺寸介于0.8-2.0mm之間,脈寬介于3-10μs之間,發數介于2-7之間;采用手撕的方式去除分割后多余的所述保護膜,得到位于所述盲槽區的底部保護層;所述底部保護層的邊緣對應位于所述底部阻礙部上,且所述底部保護層邊緣與所述底部阻礙部遠離所述線路圖形部一側的邊緣之間的間距介于50-500μm之間;所述底部阻礙部的厚度與所述盲槽的深度呈正相關;將所述基板與半固化片組件及金屬箔組件進行層壓,所述半固化片組件至少包括第一半固化片及第二半固化片,所述金屬箔組件至少包括第一金屬箔及第二金屬箔,其中,所述第二金屬箔、所述第二半固化片、所述基板、所述第一半固化片及所述第一金屬箔自下而上依次疊置,所述第一半固化片覆蓋所述底部保護層;所述第一半固化片厚度基于所述PI膜的厚度及所述線路圖形部厚度設定,所述第一半固化片厚度≥所述線路圖形部厚度*(1-盲槽區以外區域圖形面積所占比例%)+所述PI膜厚度*(1-盲槽區面積所占比例%)+所述第一半固化片中的玻璃纖維布厚度+補償厚度,其中,所述補償厚度介于4-8μm之間;采用CO2激光切割工藝自所述第一金屬箔一側沿所述盲槽區的邊緣進行切割,以在所述第一金屬箔及所述第一半固化片中定義出揭蓋區;進行所述揭蓋區定義的CO2激光切割過程中,相鄰的切割光斑之間具有切割間距,所述切割間距與介于所述切割光斑直徑的14-12之間;CO2激光切割的能量介于2-10mj之間,光圈尺寸介于0.8-2.0mm,脈寬介于3-8μs之間,發數介于1-3之間;且CO2激光切割的切割路徑邊緣與所述凹槽的邊緣之間的距離大于50μm;在所述揭蓋區表面形成揭蓋膜;所述揭蓋膜選擇為藍膜,所述揭蓋膜與所述揭蓋區表面之間具有第二結合力;對所述藍膜進行預處理,其中,所述預處理的工藝包括:對所述揭蓋膜進行加熱處理,加熱溫度介于60-120℃之間,在所述加熱溫度下的保溫時間介于10-60min之間;以及采用手撕的方式去除所述揭蓋膜,其中,去除所述揭蓋膜的過程中的所述第二結合力大于所述第一結合力;去除所述揭蓋膜并帶走所述揭蓋區的材料層及所述底部保護層,得到顯露所述線路圖形部的盲槽。
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