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龍圖騰網(wǎng)恭喜無錫華潤上華科技有限公司申請的專利多晶硅的電流能力的測試方法及測試系統(tǒng)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114740320B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202011536078.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G01R31/26；該發(fā)明授權(quán)多晶硅的電流能力的測試方法及測試系統(tǒng)是由劉小紅;劉玉偉設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-12-23向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本多晶硅的電流能力的測試方法及測試系統(tǒng)在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種多晶硅的電流能力的測試方法及測試系統(tǒng)，所述方法包括：獲取多晶硅的多份不同寬度樣品；將樣品的溫度調(diào)整至預設(shè)溫度，測試預設(shè)溫度下各份樣品的電阻值；預設(shè)溫度是多晶硅的預期應用溫度上限值與多晶硅的焦耳熱上限值之和；將樣品的溫度調(diào)整為預期應用溫度上限值，并對樣品分別施加電流，獲取樣品達到各自的電阻值時分別對應的電流值；將各電流值作為最大均方根電流密度，代入最大均方根電流密度模型中，計算最大均方根電流密度模型的經(jīng)驗參數(shù)；將多晶硅的寬度代入最大均方根電流密度模型中，計算出最大均方根電流密度，作為最大安全電流。本發(fā)明不需要特殊的測試設(shè)備，可操作性強，測試周期短。

本發(fā)明授權(quán)多晶硅的電流能力的測試方法及測試系統(tǒng)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種多晶硅的電流能力的測試方法，包括：獲取第一類型的多晶硅的多份樣品，不同的樣品具有不同的寬度；將所述多份樣品的溫度調(diào)整至預設(shè)溫度，測試所述預設(shè)溫度下各份樣品的電阻值；所述預設(shè)溫度是多晶硅的預期應用溫度上限值與多晶硅的焦耳熱上限值引起的溫度變化值之和；將所述多份樣品的溫度調(diào)整為所述預期應用溫度上限值，并對所述多份樣品分別施加電流，獲取各份樣品達到各自的所述電阻值時分別對應的電流值；將各所述電流值作為最大均方根電流密度，代入最大均方根電流密度模型中，計算所述最大均方根電流密度模型的經(jīng)驗參數(shù)；將具有第一寬度的待評估的第一類型的多晶硅的寬度代入所述最大均方根電流密度模型中，計算出最大均方根電流密度，作為第一寬度的第一類型的多晶硅的最大安全電流。

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