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龍圖騰網恭喜中國工程物理研究院應用電子學研究所申請的專利一種多電極半導體激光器封裝結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112821192B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110115525.X，技術領域涉及：H01S5/042；該發明授權一種多電極半導體激光器封裝結構是由謝鵬飛;雷軍;呂文強;張永剛;高松信;杜維川;唐淳設計研發完成，并于2021-01-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種多電極半導體激光器封裝結構在說明書摘要公布了：本發明公開了一種多電極半導體激光器封裝結構，屬于激光技術領域，包括多電極半導體激光芯片和熱沉；多電極半導體激光芯片包括若干個芯片區；芯片區包括芯片區正極和芯片區負極；熱沉包括負極金屬化層和若干個互相絕緣的正極金屬化層；若干個正極金屬化層與若干個芯片區的芯片區正極一一對應，且芯片區正極附在對應的正極金屬化層上；若干個芯片區的芯片區負極和負極金屬化層電導通。本發明的一種多電極半導體激光器封裝結構，可以滿足在不同電極注入大小不同的電流，不同電極對之間不會發生短路，從而實現多電極半導體激光芯片的功能，散熱性能好，穩定可靠。

本發明授權一種多電極半導體激光器封裝結構在權利要求書中公布了：1.一種多電極半導體激光器封裝結構，其特征在于：包括多電極半導體激光芯片1和熱沉2；所述多電極半導體激光芯片1包括若干個芯片區3；所述芯片區3包括芯片區正極4和芯片區負極5；所述熱沉2包括負極金屬化層6和若干個互相絕緣的正極金屬化層7；若干個正極金屬化層7與若干個芯片區3的芯片區正極4一一對應，且芯片區正極4附在對應的正極金屬化層7上；若干個芯片區3的芯片區負極5和負極金屬化層6電導通；若干個芯片區3的芯片區負極5和負極金屬化層6通過若干個電極引線8相連；所述熱沉2還包括基板9；所述負極金屬化層6和若干個正極金屬化層7設在基板9頂面；所述芯片區3的頂面為芯片區負極5，底面為芯片區正極4；若干個正極金屬化層7之間設有第一絕緣間隙10；所述負極金屬化層6和若干個正極金屬化層7之間設有第二絕緣間隙11；所述正極金屬化層7的尺寸超出對應的芯片區3的芯片區正極4的尺寸；所述基板9上設有若干個互相平行的貫穿孔13；所述貫穿孔13的一端口側設有壓電風機；所述基板9兩側均固定有柵板14；所述柵板14超出多電極半導體激光芯片1的頂面。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國工程物理研究院應用電子學研究所，其通訊地址為：621000 四川省綿陽市游仙區919信箱1013分箱；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。