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龍圖騰網(wǎng)恭喜戴文韜申請的專利一種PLC編程控制的高頻脈沖直流振蕩充電系統(tǒng)獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN113241832B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202110597843.4，技術領域涉及：H02J7/00；該發(fā)明授權一種PLC編程控制的高頻脈沖直流振蕩充電系統(tǒng)是由戴文韜;肖謀廷設計研發(fā)完成，并于2021-05-31向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本一種PLC編程控制的高頻脈沖直流振蕩充電系統(tǒng)在說明書摘要公布了：一種PLC編程控制的高頻脈沖直流振蕩充電系統(tǒng)。它設置有高頻脈沖控制輸出模塊、三相變壓器、高頻脈沖充電模塊；三相變壓器包括輸入線圈、輸出線圈；所述高頻脈沖控制輸出模塊包括PS開關電源、PLC可編程控制器、脈沖升壓變壓器；所述高頻脈沖充電模塊包括兩個脈沖直流振蕩充電電路，單個所述脈沖直流振蕩充電電路分別串接有一個三相變壓器輸出線圈、及一個充電電池組、及一個可控硅，且并聯(lián)有一個第二脈沖直流控制電流；所述可控硅包括陽極、陰極、控制極。該充電系統(tǒng)采用PLC高頻脈沖輸出，并通過同步控制電路和可控硅，在充電電路制造間歇性高頻高壓脈沖振蕩直流給電池組充電，從而大大提高電池充電電流接受率且能實現(xiàn)快速充電。

本發(fā)明授權一種PLC編程控制的高頻脈沖直流振蕩充電系統(tǒng)在權利要求書中公布了：1.一種PLC編程控制的高頻脈沖直流振蕩充電系統(tǒng)，其特征在于：所述充電系統(tǒng)設置有高頻脈沖控制輸出模塊、及用于交流升壓的三相變壓器、及高頻脈沖充電模塊；所述三相變壓器包括輸入線圈、及兩個輸出線圈，所述三相變壓器的輸入線圈與380V交流輸入電源電連接并形成電流回路；所述高頻脈沖控制輸出模塊包括PS開關電源、PLC可編程控制器、脈沖升壓變壓器，所述PS開關電源的輸入端與220V交流輸入電源電連接并形成電流回路，所述PS開關電源至少設置有整流器，用于輸出24V直流電給PLC可編程控制器供電，所述PLC可編程控制器的電源輸入端口與所述PS開關電源的輸出端口電連接，220V交流電通過所述PS開關電源整流并輸出24V直流電，然后輸入PLC可編程控制器，所述PLC可編程控制器用于產(chǎn)生高頻脈沖直流信號電流并具有兩個高頻脈沖直流信號電流輸出接線端，所述PLC可編程控制器包括脈沖電流幅值設置、PWM信號頻率設置、PWM占空比設置，所述充電系統(tǒng)通過PLC可編程控制器進行脈沖電流幅值設置、PWM信號頻率設置、PWM占空比設置，輸出兩組初級脈沖直流信號電流，所述初級脈沖直流信號電流為20000赫茲、0~5V脈沖直流電，所述脈沖升壓變壓器設置于PLC可編程控制器的輸出端，所述初級脈沖直流信號電流為脈沖升壓變壓器的輸入電流，所述兩組初級脈沖直流信號電流經(jīng)脈沖升壓變壓器放大生成兩組第二脈沖直流控制電流，所述第二脈沖直流控制電流為20000赫茲、0~30V脈沖直流電；所述高頻脈沖充電模塊包括兩個脈沖直流振蕩充電電路，單個所述脈沖直流振蕩充電電路分別串接有一個三相變壓器輸出線圈、及一個充電電池組、及一個可控硅，且單個所述脈沖直流振蕩充電電路還并聯(lián)有一個第二脈沖直流控制電流，所述充電系統(tǒng)通過三相變壓器和可控硅和第二脈沖直流控制電流，輸出20000赫茲、0~1000V間歇性、鋸齒狀尖脈沖直流震蕩充電電流；所述可控硅包括A陽極、K陰極、G控制極，所述可控硅的A陽極、K陰極串聯(lián)進脈沖直流振蕩充電電路，所述高頻脈沖控制輸出模塊還包括同步控制電路，所述同步控制電路包括控制接口，所述可控硅G控制極與同步控制電路控制接口電連接，所述PLC可編程控制器用于產(chǎn)生并輸出0~5V高頻脈沖信號電流，并與脈沖升壓變壓器輸入線圈電連接；所述脈沖升壓變壓器的輸入線圈與PLC可編程控制器電連接，其輸出線圈正極與可控硅G控制極電連接、負極與可控硅K陰極電連接構成同步控制電路，用于將PLC可編程控制器輸入的0~5V高頻脈沖信號電流放大，給可控硅G控制極和K陰極之間輸出0~30V高頻脈沖同步控制電壓，所述可控硅的控制極與同步控制電路控制接口電連接，所述PLC可編程控制器輸出0~5V高頻脈沖信號電壓，經(jīng)過升壓變壓器放大，在同步控制電路中形成0~30V高頻脈沖控制電壓，并經(jīng)同步控制電路控制接口與可控硅G控制極電連接，通過給可控硅的G控制極輸入0~30V高頻控制電壓控制可控硅的通斷，并在充電電路中生成20000赫茲、0~1000V間歇性、鋸齒狀尖脈沖直流震蕩充電電流，可控硅的A陽極或G控制極為正電壓時，高頻高壓脈沖直流振蕩充電電路和同步控制電路處于導通狀態(tài)，可控硅的A陽極或G控制極為負電壓時，高頻高壓脈沖直流振蕩充電電路和同步控制電路處于斷開狀態(tài)，同步控制電路給可控硅G控制極輸入電壓為0V時，高頻高壓脈沖直流振蕩充電電路和同步控制電路都處于斷開狀態(tài)，當同步控制電路輸出給G控制極的電壓從0V開始升高，高頻高壓脈沖直流振蕩充電電路的電壓也隨之同比升高，當同步控制電路輸出給G控制極的電壓升高到30V時，高頻高壓脈沖直流振蕩充電電路的電壓也隨之同比升高到1000V，反之，當同步控制電路輸出給G控制極的電壓從30V開始下降，高頻高壓脈沖直流振蕩充電電路的電壓也隨之從1000V同比下降，當同步控制電路輸出給G控制極的電壓下降到0V時，高頻高壓脈沖直流振蕩充電電路電壓也隨之同比下降到0V，同步控制電路給可控硅G控制極輸入電壓為負值時，高頻高壓脈沖直流振蕩充電電路和同步控制電路都處于斷開狀態(tài)，由于可控硅具有單向導電性，隨著同步控制電路給可控硅G控制極輸出高頻脈沖控制電壓的規(guī)律性重復變化，高頻高壓脈沖直流振蕩充電電路產(chǎn)生20000赫茲、0~1000V間歇性、鋸齒狀尖脈沖直流震蕩充電電流。

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