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龍圖騰網恭喜信越化學工業株式會社申請的專利太陽能電池及太陽能電池模組獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113437163B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110702706.2，技術領域涉及：H10F77/1223；該發明授權太陽能電池及太陽能電池模組是由大塚寬之設計研發完成，并于2015-10-14向國家知識產權局提交的專利申請。

本太陽能電池及太陽能電池模組在說明書摘要公布了：一種太陽能電池，其具備P型硅基板，該P型硅基板以一個主表面為受光面并以另一個主表面為背面，在該背面上具備部分地形成的多個背面電極，前述P型硅基板在前述受光面的至少一部分具有N型層，前述P型硅基板具有與前述背面電極接觸的接觸區域，前述P型硅基板是摻有鎵的硅基板，前述P型硅基板的電阻率為2.5Ω·cm以下，前述多個背面電極的背面電極間距Prm與前述P型硅基板的電阻率Rsub滿足由下式1表示的關系。一種太陽能電池及太陽能電池模組，所述太陽能電池使用光劣化得到抑制的基板，在所述太陽能電池中，抑制電阻損失，轉換效率優異，log10Rsub≤?log10Prm+1.01。

本發明授權太陽能電池及太陽能電池模組在權利要求書中公布了：1.一種太陽能電池，其特征在于，所述太陽能電池具備：P型硅基板，所述P型硅基板以一個主表面為受光面并以另一個主表面為背面；N型層，所述N型層形成于所述P型硅基板的所述受光面；受光面鈍化膜；受光面電極，所述受光面電極與所述N型層電接觸；以及所述P型硅基板的背面的背面鈍化膜和背面電極，所述背面電極在多個接觸區域與所述P型硅基板電接觸，所述多個接觸區域是未設置所述背面鈍化膜的多個接觸區域且為具有規定間距Prm[mm]的規定圖案，所述P型硅基板摻有鎵且由通過CZ法得到的晶棒制作而成，所述P型硅基板的電阻率Rsub[Ω·cm]為0.2～2.5Ω·cm，設置于所述背面的所述多個接觸區域的面積的總和為整個所述背面的20％以下，所述P型硅基板的厚度為100～200μm，所述多個接觸區域形成有規則的圖案，所述多個接觸區域的間距Prm[mm]為0.1～10mm，規定所述間距Prm與所述P型硅基板的電阻率Rsub滿足下述式，log10Rsub≤-log10Prm+1.0，將所述間距Prm設為橫軸、將所述電阻率Rsub設為縱軸時，短路電流密度的平均值為37mAcm2以上，相對于所述電阻率Rsub的變化，所述短路電流密度的平均值的變化小，所述背面電極的電極寬度為15～100μm。

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