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龍圖騰網(wǎng)恭喜中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司申請(qǐng)的專利氣體噴淋頭、制作方法及包括氣體噴淋頭的等離子體裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN111785604B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-08發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：201910269600.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01J37/32；該發(fā)明授權(quán)氣體噴淋頭、制作方法及包括氣體噴淋頭的等離子體裝置是由倪圖強(qiáng);徐朝陽;江家瑋設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-04-04向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本氣體噴淋頭、制作方法及包括氣體噴淋頭的等離子體裝置在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種氣體噴淋頭、制作方法及包括氣體噴淋頭的等離子體裝置，所述氣體噴淋頭包括一背板及一氣體分布板，所述氣體分布板上包括若干具有以所述圓心為圓心的環(huán)形氣體分布區(qū)；每一環(huán)形氣體分布區(qū)上設(shè)置多個(gè)貫穿所述進(jìn)氣面和所述出氣面的氣體通孔，所述氣體通孔至少包括沿徑向傾斜一定角度的多個(gè)第一氣體通孔，所述氣體通孔還包括多個(gè)第二氣體通孔，所述第二氣體通孔與所述中心軸線平行或與所述第一氣體通孔具有不同的徑向傾斜方向；所述同一環(huán)形氣體分布區(qū)中第一氣體通孔和第二氣體通孔中流出的氣體互相遠(yuǎn)離。

本發(fā)明授權(quán)氣體噴淋頭、制作方法及包括氣體噴淋頭的等離子體裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種用于等離子體裝置的氣體噴淋頭，所述氣體噴淋頭包括一具有進(jìn)氣面和出氣面的氣體分布板，所述氣體分布板為具有一圓心的圓盤形結(jié)構(gòu)，包括一經(jīng)過所述圓心并垂直所述氣體分布板的中心軸線，其特征在于，所述氣體分布板上包括若干具有以所述圓心為圓心的環(huán)形氣體分布區(qū)；每一環(huán)形氣體分布區(qū)上設(shè)置多個(gè)貫穿所述進(jìn)氣面和所述出氣面的氣體通孔，所述氣體通孔至少包括沿徑向傾斜一定角度的多個(gè)第一氣體通孔，所述氣體通孔還包括多個(gè)第二氣體通孔，所述第二氣體通孔與所述中心軸線平行或與所述第一氣體通孔具有不同的徑向傾斜方向；同一環(huán)形氣體分布區(qū)上的所述多個(gè)第一氣體通孔和多個(gè)第二氣體通孔在所述進(jìn)氣面上形成第一圓，并且同一環(huán)形氣體分布區(qū)上的多個(gè)第一氣體通孔和多個(gè)第二氣體通孔分別在所述出氣面上形成第二圓和第三圓；所述同一環(huán)形氣體分布區(qū)中第一氣體通孔和第二氣體通孔中流出的氣體互相遠(yuǎn)離，使同一環(huán)形氣體分布區(qū)中相鄰的所述氣體通孔的氣體出口在出氣面上的距離大于其氣體進(jìn)口在進(jìn)氣面上的距離，避免氣幕的產(chǎn)生；所述氣體噴淋頭還包括一背板，所述背板與所述氣體分布板的進(jìn)氣面相對(duì)，反應(yīng)氣體在所述背板內(nèi)實(shí)現(xiàn)混合或均勻分布后，通過所述氣體分布板上的氣體通孔進(jìn)入所述等離子體裝置的上電極和下電極之間的等離子體解離區(qū)域。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司，其通訊地址為：201201 上海市浦東新區(qū)金橋出口加工區(qū)(南區(qū))泰華路188號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。