買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)恭喜日產(chǎn)化學(xué)株式會(huì)社申請的專利使用了環(huán)式羰基化合物的抗蝕劑下層膜形成用組合物獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN112166379B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-01發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201980035022.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G03F7/11；該發(fā)明授權(quán)使用了環(huán)式羰基化合物的抗蝕劑下層膜形成用組合物是由德永光;緒方裕斗;橋本圭祐;中島誠設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-05-21向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本使用了環(huán)式羰基化合物的抗蝕劑下層膜形成用組合物在說明書摘要公布了：提供顯示高蝕刻耐性、良好的干蝕刻速度比和光學(xué)常數(shù)，對所謂高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能夠形成平坦的膜的抗蝕劑下層膜形成用組合物。此外，提供適合于該抗蝕劑下層膜形成用組合物的聚合物的制造方法、使用了該抗蝕劑下層膜形成用組合物的抗蝕劑下層膜、以及半導(dǎo)體裝置的制造方法。一種抗蝕劑下層膜形成用組合物，其包含：碳原子數(shù)6～60的芳香族化合物A、與碳原子數(shù)3～60的環(huán)式羰基化合物B所具有的羰基的反應(yīng)生成物；以及溶劑，上述反應(yīng)生成物中，上述環(huán)式羰基化合物B的1個(gè)碳原子連接2個(gè)上述芳香族化合物A。

本發(fā)明授權(quán)使用了環(huán)式羰基化合物的抗蝕劑下層膜形成用組合物在權(quán)利要求書中公布了：1.一種抗蝕劑下層膜形成用組合物，其包含：碳原子數(shù)6～60的芳香族化合物A、與碳原子數(shù)3～60的環(huán)式羰基化合物B所具有的羰基的反應(yīng)生成物；以及溶劑，所述環(huán)式羰基化合物B包含5質(zhì)量％以上的雜原子，且由下述式1表示， 式中，X為O、NH或CH2，環(huán)Y為可以具有下述基團(tuán)作為取代基、且可以被雜原子中斷的三～八元環(huán)、或它們的連接環(huán)或稠環(huán)，所述基團(tuán)為：可以經(jīng)羥基、羰基取代并且可以被氧原子或硫原子中斷的碳原子數(shù)1～20的烷基、羥基、氧代基、羧基、氰基、硝基、磺基、碳原子數(shù)1～6的酰基、碳原子數(shù)1～6的烷氧基、碳原子數(shù)1～6的烷氧基羰基、氨基、縮水甘油基、碳原子數(shù)2～10的烯基、或碳原子數(shù)2～10的炔基，并且所述環(huán)式羰基化合物B不包含苯環(huán)，所述反應(yīng)生成物中，所述環(huán)式羰基化合物B的1個(gè)碳原子連接2個(gè)所述芳香族化合物A。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人日產(chǎn)化學(xué)株式會(huì)社，其通訊地址為：日本東京都；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。