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龍圖騰網恭喜晶澳(揚州)太陽能科技有限公司申請的專利硅基太陽能電池單元的制造方法和硅基太陽能電池單元獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113629170B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-01發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111012856.7，技術領域涉及：H10F71/00；該發明授權硅基太陽能電池單元的制造方法和硅基太陽能電池單元是由張俊兵;蔣秀林;尹海鵬;單偉設計研發完成，并于2021-08-31向國家知識產權局提交的專利申請。

本硅基太陽能電池單元的制造方法和硅基太陽能電池單元在說明書摘要公布了：提供硅基太陽能電池單元的制造方法和由該方法制造的電池單元，該方法包括：提供第一型的基底；在硅基底的第一表面上形成摻雜有第一型的摻雜粒子的第一摻雜源層；在硅基底的第二表面上形成鈍化介質層；在鈍化介質層背向硅基底的表面形成：具有第二型的摻雜粒子的選擇性載流子傳輸前置層，或者本征的選擇性載流子傳輸前置層和摻雜有第二型的摻雜粒子的第二摻雜源層的疊層；以及進行高溫退火處理，激活第一型的摻雜粒子以在基底的第一表面中形成第一摻雜層，同時激活第二型的摻雜粒子并且使選擇性載流子傳輸前置層晶化以形成選擇性載流子傳輸層。該方法避免對電池單元的兩面分別進行兩次高溫退火處理，簡化了電池單元的制造過程，利于降低制造成本。

本發明授權硅基太陽能電池單元的制造方法和硅基太陽能電池單元在權利要求書中公布了：1.一種硅基太陽能電池單元的制造方法，包括：提供第一型的硅基底，所述硅基底具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面；在所述硅基底的第一表面上形成摻雜有第一型的摻雜粒子的第一摻雜源層；在所述硅基底的第二表面上形成鈍化介質層；在所述鈍化介質層背向所述硅基底的表面形成：具有第二型的摻雜粒子的選擇性載流子傳輸前置層，或者本征的選擇性載流子傳輸前置層和摻雜有第二型的摻雜粒子的第二摻雜源層的疊層；以及對形成所述第一摻雜源層和所述選擇性載流子傳輸前置層的硅基底進行高溫退火處理，激活所述第一型的摻雜粒子以在所述基底的第一表面中形成第一摻雜層，同時激活所述第二型的摻雜粒子并且使所述選擇性載流子傳輸前置層晶化以形成選擇性載流子傳輸層，其中，通過物理氣相沉積在所述鈍化介質層背向所述硅基底的表面形成所述具有第二型的摻雜粒子的選擇性載流子傳輸前置層或者所述本征的選擇性載流子傳輸前置層和摻雜有第二型的摻雜粒子的第二摻雜源層的疊層；并且通過物理氣相沉積在所述硅基底的第一表面上形成摻雜有所述第一型的摻雜粒子的第一摻雜源層，并且，在形成所述第一摻雜源層之前，所述方法還包括：在所述硅基底的第一表面上形成第一氧化層，其中，通過物理氣相沉積形成所述第一氧化層。

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