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龍圖騰網恭喜星科金朋半導體(江陰)有限公司申請的專利一種MEMS封裝結構及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113607328B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-01發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111048537.1，技術領域涉及：G01L9/04；該發明授權一種MEMS封裝結構及其制造方法是由張利松;陳雷;衡文舉;沈國強設計研發完成，并于2021-09-08向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種MEMS封裝結構及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種MEMS封裝結構及其制造方法，屬于集成電路封裝技術領域。其壓力接頭本體的中央開設上下貫通的壓力進入通道（1?1），所述壓力進入通道（1?1）的出口設置壓力分散口（1?2），所述壓力分散口（1?2）包括若干對倒置的Y型分散口，所述壓力傳感器芯片（6）通過粘結膠（7）黏貼在基座（4）的基臺（4?3）中央，基座（4）向上與轉接頭（2）固連，并將壓力敏感膜片（3）固定在基座（4）與轉接頭（2）之間。本發明提出的接頭結構采用型分散口實現壓力分流，設置壓力分流通道，可以有效避免壓力對MEMS芯片的正面沖擊。

本發明授權一種MEMS封裝結構及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種MEMS封裝結構，其特征在于，其從上而下依次包括壓力接頭（1）、轉接頭（2）、壓力敏感膜片（3）、金屬絲（5）、基座（4）、金屬引腳（4-5）和壓力傳感器芯片（6），所述壓力接頭（1）包括壓力接頭本體和接口（1-3），所述壓力接頭本體的上端中央開設上下貫通的壓力進入通道（1-1），所述壓力進入通道（1-1）的出口設置壓力分散口（1-2），所述壓力分散口（1-2）包括若干對倒置的Y型分散口，所述接口（1-3）凸出壓力接頭本體的下端邊側；所述轉接頭（2）包括轉接頭本體、轉接頭前接口（2-1）、轉接頭后接口（2-2）和通孔Ⅰ（2-3），所述通孔Ⅰ（2-3）設置在轉接頭本體的中央，所述轉接頭前接口（2-1）設置在轉接頭本體的上端外側，所述轉接頭后接口（2-2）設置在轉接頭本體的下端內側，所述壓力進入通道（1-1）位于通孔Ⅰ（2-3）正上方；所述基座（4）的中央具有基臺（4-3），所述基臺（4-3）外緣設有向外伸出的若干個端子（4-2），形成MEMS壓力傳感器檢測腔體，所述端子（4-2）的中端開設一通孔Ⅱ（4-7），將所述金屬引腳（4-5）穿過該通孔Ⅱ（4-7），所述金屬引腳（4-5）的上端通過玻璃燒結物（4-1）與基座（4）的端子（4-2）固連；所述壓力傳感器芯片（6）通過粘結膠（7）黏貼在基座（4）的基臺（4-3）中央，所述壓力傳感器芯片（6）通過金屬絲（5）與金屬引腳（4-5）電連接，所述壓力傳感器芯片（6）位于所述通孔Ⅰ（2-3）正下方；所述基座（4）的端子（4-2）、壓力敏感膜片（3）的邊緣與轉接頭（2）的轉接頭后接口（2-2）對齊，將所述基座（4）向上與轉接頭（2）固連，并將壓力敏感膜片（3）固定在基座（4）與轉接頭（2）之間；所述轉接頭（2）的轉接頭前接口（2-1）卡入壓力接頭（1）的接口（1-3）內并固連。

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