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龍圖騰網恭喜松山湖材料實驗室申請的專利一種仿生偏振視覺芯片器件及其制備方法、卷積神經網絡獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119325261B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411867531.0，技術領域涉及：H10D30/60；該發明授權一種仿生偏振視覺芯片器件及其制備方法、卷積神經網絡是由梁齊杰;林顯凱;李文博;陳梓棱;周桂港;丘桂添設計研發完成，并于2024-12-18向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種仿生偏振視覺芯片器件及其制備方法、卷積神經網絡在說明書摘要公布了：本發明涉及半導體芯片技術領域，具體涉及一種仿生偏振視覺芯片器件及其制備方法、卷積神經網絡。器件包括：采用二維材料制備的多層二維范德華垂直鐵電異質結構，該結構包括依次層疊設置的底部電極層、鐵電層、中間金屬層、絕緣層以及溝道層；溝道層具有各向異性，鐵電層通過在偏振光誘導下的極化開關切換，控制溝道層中的電導率大小，用于偏振圖像識別。本發明中，采用二維材料制備仿生偏振視覺芯片器件，而二維材料的原子層通過弱范德華力結合，可以相互堆疊形成范德華異質結構而不需要考慮晶格失配的問題，溝道層的各項異性賦予了其偏振敏感性，而鐵電層的極化效應可以使得溝道層中電導率大小改變，由此可以實現偏振圖像的識別。

本發明授權一種仿生偏振視覺芯片器件及其制備方法、卷積神經網絡在權利要求書中公布了：1.一種基于二維鐵電異質結的仿生偏振視覺芯片器件，其特征在于，所述器件包括：采用二維材料制備的多層二維范德華垂直鐵電異質結構，該結構包括依次層疊設置的底部電極層、鐵電層、中間金屬層、絕緣層以及溝道層；所述溝道層具有各向異性，所述鐵電層通過在偏振光誘導下的極化開關切換，控制所述溝道層中的電導率大小，用于偏振圖像識別；所述溝道層為二硒化鈀溝道層、二硫化錸溝道層、黑磷溝道層、硒化鍺溝道層或者碲溝道層；所述底部電極層和輸入的偏振光用于作為突觸前膜，所述鐵電層、中間金屬層和絕緣層用于作為突觸前神經元，所述溝道層用于作為突觸后神經元，所述突觸前神經元和所述突觸后神經元之間的權重大小用于在電刺激和或光刺激的作用下進行調整，實現對偏振視覺信息的學習和記憶。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人松山湖材料實驗室，其通訊地址為：523808 廣東省東莞市大朗鎮屏東路333號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。