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龍圖騰網恭喜合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利半導體結構制備方法及半導體結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119314948B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411868367.5，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權半導體結構制備方法及半導體結構是由王文智設計研發完成，并于2024-12-18向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構制備方法及半導體結構在說明書摘要公布了：本公開涉及一種半導體結構制備方法及半導體結構，涉及集成電路技術領域，包括：提供襯底；基于目標光罩，形成沿第一方向依次貫穿支撐疊層的第一通孔；于第一通孔的內側壁形成目標疊層，目標疊層限定出一第二通孔，目標疊層包括由外至內交替層疊的目標碳層、隔離層；形成填充第二通孔的介電疊層；基于目標光罩，形成貫穿介電疊層并暴露出目標疊層的第三通孔；經由第三通孔刻蝕并去除第二通孔內剩余介電疊層后，過刻蝕第一介電層，得到暴露部分導電層的凹槽；去除目標碳層，形成覆蓋第三通孔內側壁及凹槽內表面的金屬阻擋層，相鄰剩余隔離層之間包括空氣間隙。至少能夠減少光罩的使用數量，降低制備工藝的復雜度及成本。

本發明授權半導體結構制備方法及半導體結構在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構制備方法，其特征在于，包括：提供襯底，所述襯底上包括沿垂直所述襯底頂面的第一方向依次層疊的導電層、第一介電層及支撐疊層；基于目標光罩，形成沿所述第一方向依次貫穿所述支撐疊層的第一通孔；于所述第一通孔的內側壁形成目標疊層，所述目標疊層限定出一暴露出部分所述第一介電層的第二通孔，所述目標疊層包括由外至內交替層疊的目標碳層、隔離層；形成覆蓋所述支撐疊層、所述目標疊層，并填充所述第二通孔的介電疊層；基于所述目標光罩，形成沿所述第一方向貫穿所述介電疊層并暴露出所述目標疊層的第三通孔；經由所述第三通孔同步刻蝕并去除所述第二通孔內剩余介電疊層及預設厚度的所述隔離層后，過刻蝕所述第一介電層，得到暴露部分所述導電層的凹槽；去除所述目標碳層，得到間隔排布的剩余隔離層；形成覆蓋所述第三通孔內側壁、所述剩余隔離層頂面，以及所述凹槽內表面的金屬阻擋層，其中，相鄰所述剩余隔離層之間包括空氣間隙；所述支撐疊層包括第三介電層，以及位于所述第一介電層、所述第三介電層之間的第二介電層；在相同的刻蝕條件下，去除目標厚度的隔離層時，所述第二通孔內剩余介電疊層被同步去除；所述第三介電層的厚度關聯于所述目標厚度。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：230012 安徽省合肥市新站區合肥綜合保稅區內西淝河路88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。