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龍圖騰網(wǎng)恭喜索尼半導(dǎo)體解決方案公司申請的專利固態(tài)成像裝置和電子設(shè)備獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114447010B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202111671488.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F39/12；該發(fā)明授權(quán)固態(tài)成像裝置和電子設(shè)備是由葭葉一平;大塚洋一設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2016-01-04向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本固態(tài)成像裝置和電子設(shè)備在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及固態(tài)成像裝置和電子設(shè)備。其中固態(tài)成像裝置可包括：像素陣列單元，所述像素陣列單元包括多個像素，所述多個像素包括第一像素和鄰近所述第一像素的第一側(cè)的第二像素；第一多段遮光壁，所述第一多段遮光壁設(shè)置在所述第一像素和所述第二像素之間，所述第一多段遮光壁包括：第一遮光壁，所述第一遮光壁貫穿第一膜；和第二遮光壁，所述第二遮光壁貫穿第二膜，并且在橫截面圖中，所述第二遮光壁沿朝向所述像素陣列單元的外圍的方向從所述第一遮光壁偏移；第一遮光膜，所述第一遮光膜與所述第二遮光壁的第一端接觸，其中，所述第一遮光膜的寬度大于所述第二遮光壁的最大寬度。

本發(fā)明授權(quán)固態(tài)成像裝置和電子設(shè)備在權(quán)利要求書中公布了：1.一種固態(tài)成像裝置，包括：像素陣列單元，所述像素陣列單元包括多個像素，所述多個像素包括第一像素和鄰近所述第一像素的第一側(cè)的第二像素；第一多段遮光壁，所述第一多段遮光壁設(shè)置在所述第一像素和所述第二像素之間，所述第一多段遮光壁包括：第一遮光壁，所述第一遮光壁貫穿第一膜；和第二遮光壁，所述第二遮光壁貫穿第二膜，并且在橫截面圖中，所述第二遮光壁沿朝向所述像素陣列單元的外圍的方向從所述第一遮光壁偏移；第一遮光膜，所述第一遮光膜與所述第二遮光壁的第一端接觸，其中，所述第一遮光膜的寬度大于所述第二遮光壁的最大寬度。

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