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龍圖騰網(wǎng)恭喜臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司申請(qǐng)的專利高電壓器件、高電子遷移率晶體管器件及其形成方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN112447839B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202010235496.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/47；該發(fā)明授權(quán)高電壓器件、高電子遷移率晶體管器件及其形成方法是由林明正;吳成堡;蔡俊琳;吳浩昀;蘇亮宇;王云翔設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-03-30向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本高電壓器件、高電子遷移率晶體管器件及其形成方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：在一些實(shí)施例中，本公開(kāi)涉及一種高電壓器件，高電壓器件包含襯底，襯底包括第一半導(dǎo)體材料。包括第二半導(dǎo)體材料的溝道層布置在襯底上方。包括第三半導(dǎo)體材料的有源層布置在溝道層上方。在有源層上方的是與漏極觸點(diǎn)間隔開(kāi)的源極觸點(diǎn)。柵極結(jié)構(gòu)橫向地布置在源極觸點(diǎn)與漏極觸點(diǎn)之間且布置在有源層上方以界定高電子遷移率晶體管HEMT器件。在柵極結(jié)構(gòu)與源極觸點(diǎn)之間的是頂蓋結(jié)構(gòu)，頂蓋結(jié)構(gòu)耦接到源極觸點(diǎn)且與柵極結(jié)構(gòu)橫向間隔開(kāi)。頂蓋結(jié)構(gòu)和柵極結(jié)構(gòu)的柵極電極包括相同材料。

本發(fā)明授權(quán)高電壓器件、高電子遷移率晶體管器件及其形成方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種高電壓器件，包括：襯底，包括第一半導(dǎo)體材料；溝道層，包括所述襯底上方的第二半導(dǎo)體材料；有源層，包括所述溝道層上方的第三半導(dǎo)體材料；源極觸點(diǎn)和漏極觸點(diǎn)，位于所述有源層上方且彼此橫向間隔開(kāi)；柵極結(jié)構(gòu)，橫向地位于所述源極觸點(diǎn)與所述漏極觸點(diǎn)之間且布置在所述有源層上方以界定高電子遷移率晶體管器件，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵極電極；以及頂蓋結(jié)構(gòu)，耦接到所述源極觸點(diǎn)且布置在所述柵極結(jié)構(gòu)與所述源極觸點(diǎn)之間，其中所述頂蓋結(jié)構(gòu)與所述柵極結(jié)構(gòu)橫向間隔開(kāi)，且其中所述頂蓋結(jié)構(gòu)和所述柵極電極包括相同材料，其中所述頂蓋結(jié)構(gòu)的上部部分直接接觸所述源極觸點(diǎn)的上部側(cè)壁，且其中所述頂蓋結(jié)構(gòu)的底部部分與所述源極觸點(diǎn)的下部側(cè)壁橫向間隔開(kāi)。

如需購(gòu)買(mǎi)、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)新竹市力行六路八號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。