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龍圖騰網(wǎng)恭喜三星電子株式會(huì)社申請(qǐng)的專利薄膜結(jié)構(gòu)體、其制造方法和包括其的電子器件獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN112582539B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202011060074.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D1/68；該發(fā)明授權(quán)薄膜結(jié)構(gòu)體、其制造方法和包括其的電子器件是由趙常玹;許鎮(zhèn)盛;李香淑;金尚昱;李潤(rùn)姓設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-09-30向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本薄膜結(jié)構(gòu)體、其制造方法和包括其的電子器件在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及薄膜結(jié)構(gòu)體、其制造方法和包括其的電子器件。本文中公開了薄膜結(jié)構(gòu)體，其包括在包括多個(gè)層的介電層上的第一導(dǎo)電層。所述多個(gè)層各自包括包含摻雜劑A的摻雜劑層和HfO2層以形成化合物HfxA1?xOz0x1，z為實(shí)數(shù)。所述多個(gè)層的最上層是在所述多個(gè)層中最厚的。所述第一導(dǎo)電層接觸所述最上層。

本發(fā)明授權(quán)薄膜結(jié)構(gòu)體、其制造方法和包括其的電子器件在權(quán)利要求書中公布了：1.薄膜結(jié)構(gòu)體，包括：包括多個(gè)層的介電層，所述多個(gè)層各自包括包含摻雜劑A的摻雜劑層和HfO2層以形成HfxA1-xOz的化合物，其中0x1、z為實(shí)數(shù)，所述多個(gè)層的最上層是在所述多個(gè)層中最厚的；和在所述介電層上的第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層與所述介電層中的所述多個(gè)層的最上層接觸，所述最上層包括HfO2。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人三星電子株式會(huì)社，其通訊地址為：韓國(guó)京畿道；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。