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龍圖騰網恭喜卡爾蔡司SMT有限責任公司申請的專利特別是用于微光刻投射曝光系統的反射鏡獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110998452B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201880051683.X，技術領域涉及：G03F7/20；該發明授權特別是用于微光刻投射曝光系統的反射鏡是由B.威利-范艾爾德;F.比杰柯克;K.希爾德;T.格魯納;S.舒爾特;S.韋勒設計研發完成，并于2018-07-25向國家知識產權局提交的專利申請。

本特別是用于微光刻投射曝光系統的反射鏡在說明書摘要公布了：本發明涉及一種反射鏡，特別是微光刻投射曝光系統的反射鏡，其包括反射鏡基板12、32、52。該反射鏡具有：反射層堆疊體21、41、61，用于將照射光學有效表面11、31、51的工作波長的電磁輻射反射；以及至少一個壓電層16、36、56，其布置在反射鏡基板和反射層堆疊體之間，且可以通過第一電極布置和第二電極布置向該至少一個壓電層施加產生局部可變形變的電場，該第一電極布置20、40、60位于壓電層的面向反射層堆疊體的一側，并且該第二電極布置14、34、54位于壓電層的面向反射鏡基板的一側。根據一個方面，提供支撐層98，該支撐層98與沒有支撐層的類似設計相比，伴隨著施加電場來減少壓電層96到反射鏡基板92中的下沉，并且因此增加了壓電層96的有效撓曲。

本發明授權特別是用于微光刻投射曝光系統的反射鏡在權利要求書中公布了：1.一種反射鏡，其中，所述反射鏡具有光學有效表面11、31，包括：反射鏡基板92；反射層堆疊體101，用于反射在所述光學有效表面上入射的具有操作波長的電磁輻射；至少一個壓電層96，所述至少一個壓電層布置在所述反射鏡基板92和所述反射層堆疊體101之間，并且能夠通過第一電極布置99和第二電極布置94向所述至少一個壓電層施加產生局部可變形變的電場，所述第一電極布置99位于所述壓電層96的面向所述反射層堆疊體101的一側，并且所述第二電極布置94位于所述壓電層96的面向所述反射鏡基板92的一側；以及支撐層98，與沒有所述支撐層的類似結構相比，伴隨著施加電場，所述支撐層98減少所述壓電層96到所述反射鏡基板92中的下沉，并且因此增加了所述壓電層96的有效撓曲；其中，所述支撐層98的厚度為至少15μm。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人卡爾蔡司SMT有限責任公司，其通訊地址為：德國上科亨；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。