恭喜長鑫存儲技術有限公司請求不公布姓名獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜長鑫存儲技術有限公司申請的專利溝槽及其形成方法、電容器的制備方法及電容器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111106095B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201811270426.3，技術領域涉及：H01L23/64；該發明授權溝槽及其形成方法、電容器的制備方法及電容器是由請求不公布姓名設計研發完成，并于2018-10-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本溝槽及其形成方法、電容器的制備方法及電容器在說明書摘要公布了：本發明提供了一種溝槽及其形成方法、電容器的制備方法及電容器，電容器的制造方法包括：提供初始結構，所述初始結構包括襯底層、位于所述襯底層上的絕緣層和存儲節點接觸塞、以及第一支撐結構層；刻蝕所述第一支撐結構層形成第一孔；在所述第一孔中形成犧牲層；在所述第一支撐結構層和所述犧牲層表面形成第二支撐結構層；刻蝕所述第二支撐結構層形成第二孔，所述犧牲層暴露于所述第二孔；去除所述犧牲層；以及依次沉積下電極層、電介質層、上電極層，形成所述電容器。本發明一實施方式的方法，通過犧牲層的設置、去除，能夠降低高深寬比結構的刻蝕難度，解決由于刻蝕不足導致下接觸點面積變小產生的高電阻阻抗甚至斷路的問題。
本發明授權溝槽及其形成方法、電容器的制備方法及電容器在權利要求書中公布了：1.一種溝槽的形成方法，包括：提供襯底，在所述襯底上設置有第一介質層；刻蝕所述第一介質層形成第一孔；在所述第一孔中形成犧牲層；在所述第一介質層和所述犧牲層上形成第二介質層；刻蝕所述第二介質層形成第二孔，所述犧牲層暴露于所述第二孔；以及去除所述犧牲層，所述第一孔和所述第二孔相連通形成所述溝槽。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長鑫存儲技術有限公司，其通訊地址為：230000 安徽省合肥市經濟技術開發區翠微路6號海恒大廈630室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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