恭喜長鑫存儲技術有限公司請求不公布姓名獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜長鑫存儲技術有限公司申請的專利半導體結構及其制備工藝以及半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111180416B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201811345484.8，技術領域涉及：H01L23/538；該發明授權半導體結構及其制備工藝以及半導體器件是由請求不公布姓名;林鼎佑設計研發完成，并于2018-11-13向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其制備工藝以及半導體器件在說明書摘要公布了：本公開提出一種半導體結構及其制備工藝以及半導體器件。半導體結構包括硅基層、第一氧化物層和第二氧化物層、保護層、硅穿孔以及電極。第一氧化物層和第二氧化物層由下至上依序設于硅基層上，第二氧化物層的上表面開設有容納槽。保護層設于第一氧化物層與第二氧化物層之間，保護層的材質硬度大于第二氧化物層的材質硬度。硅穿孔貫通開設于硅基層、第一氧化物層、保護層和第二氧化物層并填充有導電材料，硅穿孔的上端顯露于容納槽的槽底。電極設于容納槽內。
本發明授權半導體結構及其制備工藝以及半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，所述半導體結構包括：硅基層；第一氧化物層和第二氧化物層，由下至上依序設于所述硅基層上，所述第二氧化物層的上表面開設有容納槽；保護層，設于所述第一氧化物層與所述第二氧化物層之間，所述保護層的材質硬度大于所述第二氧化物層的材質硬度；硅穿孔，開設于所述硅基層、所述第一氧化物層、所述保護層和所述第二氧化物層并填充有導電材料，所述硅穿孔的上端顯露于所述容納槽的槽底；以及電極，設于所述容納槽內。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長鑫存儲技術有限公司，其通訊地址為：230000 安徽省合肥市經濟技術開發區翠微路6號海恒大廈630室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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