恭喜艾邁斯-歐司朗國際有限責任公司C·高希獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜艾邁斯-歐司朗國際有限責任公司申請的專利半導體裝置及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111788671B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201880090259.6，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權半導體裝置及其制造方法是由C·高希;許國陽;王清設計研發完成，并于2018-12-26向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體裝置及其制造方法在說明書摘要公布了：公開了諸如垂直腔表面發射激光器的半導體裝置及其制造方法。半導體裝置包括接觸延伸部及導電粘合材料，諸如可熔金屬合金或導電復合物。在一些情況下，半導體裝置還包括結構化接觸件。這些部件允許制造具有最小變形的半導體裝置。例如，可制造展現少許彎曲至不彎曲的垂直腔表面發射激光器陣列。在一些情況下，具有最小變形的半導體裝置展現了增強的效能。
本發明授權半導體裝置及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，包括：基板，其具有相對的第一側及第二側；外延層，其具有相對的第一側及第二側，所述外延層的所述第一側鄰接所述基板的所述第一側；基板接觸件，其鄰接所述基板的所述第二側；外延接觸件，其鄰接所述外延層的所述第二側；子底座，其通過導電材料安裝至子底座接觸件，所述子底座接觸件為所述外延接觸件或所述基板接觸件；正面子底座接觸件，所述正面子底座接觸件為不與所述子底座接觸件相關聯的所述外延接觸件或所述基板接觸件；以及接觸延伸部，其鄰接所述正面子底座接觸件；其中，所述接觸延伸部可操作為抵消所述基板的所述第一側和所述外延層的所述第一側的附近的本征應力，從而使得所述半導體裝置在高于所述導電材料的熔化溫度的情況下是平面的形式；并且其中，所述接觸延伸部內的本征應力是由在所述接觸延伸部的電沉積期間的處理參數引起的，并且其中，所述接觸延伸部內的所述本征應力被調整為抵消所述基板的所述第一側和所述外延層的所述第一側的附近的本征應力。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人艾邁斯-歐司朗國際有限責任公司，其通訊地址為：德國雷根斯堡；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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