恭喜富士電機株式會社上村和貴獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜富士電機株式會社申請的專利半導體裝置及半導體裝置的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN109979935B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201811553511.0，技術領域涉及：H10D84/80；該發明授權半導體裝置及半導體裝置的制造方法是由上村和貴;洼內源宜設計研發完成，并于2018-12-19向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體裝置及半導體裝置的制造方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種半導體裝置及半導體裝置的制造方法，所述半導體裝置在半導體基板設置有二極管區，二極管區包括：第一導電型的基區，以在半導體基板的上表面露出的方式設置；第二導電型的陰極區，以在半導體基板的下表面露出的方式設置；第一導電型的陰極間區域，以在半導體基板的下表面露出的方式設置，且在預先設定的方向上與陰極區交替地配置；以及第二導電型的浮置區，設置在陰極區的上方和陰極間區域的上方。
本發明授權半導體裝置及半導體裝置的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，其特征在于，所述半導體裝置在半導體基板設置有二極管區，所述二極管區包括：第一導電型的基區，以在所述半導體基板的上表面露出的方式設置；第二導電型的陰極區，以在所述半導體基板的下表面露出的方式設置；第一導電型的陰極間區域，以在所述半導體基板的下表面露出的方式設置，且在預先設定的方向上與所述陰極區交替地配置；以及第一導電型的浮置區，設置在所述陰極區的上方和所述陰極間區域的上方，所述二極管區還包括虛設溝槽部，所述虛設溝槽部在所述半導體基板的上表面沿延伸方向延伸地設置，所述陰極區和所述陰極間區域在所述延伸方向上交替地配置，在俯視時的所述延伸方向上，所述浮置區與一個以上的整個所述陰極間區域重疊，且不與所述陰極區域的一部分重疊。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人富士電機株式會社，其通訊地址為：日本神奈川縣川崎市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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