恭喜索尼半導體解決方案公司平松克規獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜索尼半導體解決方案公司申請的專利攝像器件和電子設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111226318B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-18發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201880066968.0，技術領域涉及：H10F39/12；該發明授權攝像器件和電子設備是由平松克規設計研發完成，并于2018-10-26向國家知識產權局提交的專利申請。
本攝像器件和電子設備在說明書摘要公布了：本技術涉及能夠抑制暗電流的攝像器件和電子設備。它們包括：被構造成執行光電轉換的光電轉換單元；在半導體基板中挖出的溝槽；在所述溝槽的側壁上由氧化物膜、氮膜和氧化物膜構成的負固定電荷膜；以及形成在所述固定電荷膜內的電極膜。用于構成所述固定電荷膜的所述氧化物膜包括SiO一氧化硅，用于構成所述固定電荷膜的所述氮膜包括SiN氮化硅。用于構成所述固定電荷膜的所述氮膜也可以包括多晶硅膜或高k膜高介電常數膜。本技術可以應用于例如背面照射型CMOS圖像傳感器。
本發明授權攝像器件和電子設備在權利要求書中公布了：1.攝像器件，包括：被構造成執行光電轉換的光電轉換單元；在半導體基板中挖出的溝槽；在所述溝槽的側壁上由第一氧化物膜、氮膜和第二氧化物膜構成的負固定電荷膜；和在所述固定電荷膜內形成的電極膜，所述電極膜與所述固定電荷膜接觸，其中，所述氮膜夾在所述第一氧化物膜和所述第二氧化物膜之間，并且，所述第一氧化物膜設置為最靠近所述溝槽的所述側壁，所述第二氧化物膜設置為最靠近所述電極膜，其中，所述第一氧化物膜的厚度比所述第二氧化物膜的厚度更薄。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人索尼半導體解決方案公司，其通訊地址為：日本神奈川縣；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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