恭喜意法半導體法國公司P·加利獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜意法半導體法國公司申請的專利適用于在變溫環境下操作的集成電子器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110556372B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-18發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910475230.6，技術領域涉及：H10D89/60；該發明授權適用于在變溫環境下操作的集成電子器件是由P·加利;R·勒蒂克設計研發完成，并于2019-06-03向國家知識產權局提交的專利申請。
本適用于在變溫環境下操作的集成電子器件在說明書摘要公布了：本公開的實施例涉及適用于在變溫環境下操作的集成電子器件。一種集成電子器件包括絕緣體上硅SOI襯底。在SOI襯底中和上形成至少一個MOS晶體管。該至少一個MOS晶體管具有柵極區域，其接收控制電壓；背柵極，其接收調整電壓；源極漏極區域，其具有電阻部分；第一端子，其耦合到第一電壓例如，參考電壓并且形成在源極漏極區域中和電阻部分的第一側上；以及第二端子，其生成代表集成電子器件的溫度的電壓，該第二端子形成在源極漏極區域中和電阻部分的第二側上。調整電路將調整電壓生成為具有取決于控制電壓和第二端子所生成的電壓的值。
本發明授權適用于在變溫環境下操作的集成電子器件在權利要求書中公布了：1.一種集成電子器件，包括：絕緣體上硅襯底，至少一個MOS晶體管，被形成在所述絕緣體上硅襯底中和所述絕緣體上硅襯底上；其中所述至少一個MOS晶體管包括：柵極區域，被配置為接收控制電壓；背柵極，被配置為接收調整電壓；源極或漏極區域，具有電阻部分；第一端子，被配置為被耦合到第一電壓，并且被形成在所述源極或漏極區域中、以及所述源極或漏極區域的所述電阻部分的第一側上；以及第二端子，被配置為生成表示所述集成電子器件的溫度的電壓，所述第二端子被形成在所述源極或漏極區域中、以及所述源極或漏極區域的所述電阻部分的第二側上；以及調整電路，被配置為將所述調整電壓生成為具有取決于所述控制電壓和由所述第二端子生成的所述電壓的值。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人意法半導體法國公司，其通訊地址為：法國蒙魯日；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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