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龍圖騰網恭喜中國科學院上海技術物理研究所申請的專利一種級聯雪崩倍增光電二極管獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111223956B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-18發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201911093515.X，技術領域涉及：H10F30/225；該發明授權一種級聯雪崩倍增光電二極管是由鞠國豪;程正喜;陳永平設計研發完成，并于2019-11-11向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種級聯雪崩倍增光電二極管在說明書摘要公布了：本發明公開了一種級聯雪崩倍增光電二極管，在襯底上有襯底氧化層，在襯底氧化層上從左到右依次有p型電極層I、p型光吸收層、電場調控層I、雪崩倍增層I、n型過渡層、低雜質濃度的電子行進層、電場調控層II、雪崩倍增層II、n型電極層，p型電極層II內嵌于低雜質濃度的電子行進層區域內，襯底氧化層上依次排列的各層被電場隔離環層環繞包圍，電場隔離環層外側區域有本征層，p型電極層I上有p電極I，p型電極層II上有p電極II，n型電極層上有n電極的構造。本專利的優點在于：本發明構造避免曲率效應，消除邊緣擊穿，提高穩定性，同時實現多級級聯雪崩倍增單片集成，獲得很高的穩定增益，且有效抑制空穴雪崩引起的噪聲。

本發明授權一種級聯雪崩倍增光電二極管在權利要求書中公布了：1.一種級聯雪崩倍增光電二極管，其特征在于，在襯底17上有襯底氧化層16，在襯底氧化層16上從左到右依次有p型電極層I4、p型光吸收層5、電場調控層I6、雪崩倍增層I7、n型過渡層8、低雜質濃度的電子行進層9、電場調控層II12、雪崩倍增層II13、n型電極層14，p型電極層II11內嵌于低雜質濃度的電子行進層9區域內，襯底氧化層16上依次排列的各層被電場隔離環層2環繞包圍，電場隔離環層2外側區域有本征層1，p型電極層I4上有p電極I3，p型電極層II11上有p電極II10，n型電極層14上有n電極15。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院上海技術物理研究所，其通訊地址為：200083 上海市虹口區玉田路500號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。