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龍圖騰網恭喜天津世宇電子股份有限公司申請的專利一種納米復合低熔點玻璃絕緣涂層的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119685824B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-18發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510198272.5，技術領域涉及：C23D5/02；該發明授權一種納米復合低熔點玻璃絕緣涂層的制備方法是由安京哲設計研發完成，并于2025-02-22向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種納米復合低熔點玻璃絕緣涂層的制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種納米復合低熔點玻璃絕緣涂層的制備方法，屬于低熔點玻璃技術領域，首先，所述制備方法包括以下步驟：向純水中攪拌加入低熔點玻璃粉體，經攪拌、球磨后，得到漿料，將漿料涂覆在金屬基材的表面，得到載漿基材，再將載漿基材進行熔融固化后，再自然冷卻至室溫，即在金屬基材的表面形成納米復合低熔點玻璃絕緣涂層。經檢測，所形成的玻璃絕緣涂層的熱膨脹系數25℃～300℃為13.21×10?6℃～13.74×10?6℃，本發明中制備的納米復合低熔點玻璃絕緣涂層的熱膨脹系數與304不銹鋼的熱膨脹系數的差異更小。

本發明授權一種納米復合低熔點玻璃絕緣涂層的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種納米復合低熔點玻璃絕緣涂層的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：向純水中攪拌加入低熔點玻璃粉體，混合攪拌10～20min，再進行球磨8～12h，球磨完畢后，得到漿料，將漿料涂覆在金屬基材的表面，得到載漿基材，再將載漿基材以5～10℃min的速率從室溫升溫至300℃，保溫20～30min，再繼續以5～10℃min的速率升溫至1000～1100℃，恒溫加熱1h，再自然冷卻至室溫，即在金屬基材的表面形成納米復合低熔點玻璃絕緣涂層；所述低熔點玻璃粉體由以下質量百分比組分混合而成：氧化鋅10.64%～18.40%、氧化銅7.79%～7.87%、氧化鉍60.50%～61.15%、氧化硼11.36%～18.37%、改性碳化硅晶須1.95%～1.97%；所述改性碳化硅晶須由以下步驟制備：S1、將碳化硅晶須浸泡于質量分數為10%～20%的氫氟酸溶液中12～24h，浸泡完畢后，過濾，收集固體組分，用純水洗滌固體組分3～5次，洗滌完畢后，得到酸處理碳化硅晶須，將酸處理碳化硅晶須浸泡于質量分數為30%的過氧化氫溶液中1～4h，浸泡完畢后，過濾，得到羥基化碳化硅晶須；S2、向純水中攪拌加入磷酸和氫氧化鋁，室溫攪拌5～10min，再升溫至75～80℃，恒溫攪拌5～10min，再向其中攪拌加入羥基化碳化硅晶須，添加完畢后，充入氮氣，體系再升溫至85～90℃，恒溫攪拌反應2～5h，反應完畢，靜置冷卻至室溫，過濾，收集固體組分，再將固體組分置于140～150℃恒溫條件下干燥至恒重，再經冷卻至室溫，得到改性碳化硅晶須。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人天津世宇電子股份有限公司，其通訊地址為：300000 天津市津南區八里臺泰達(津南)微電子工業區科達二路H-B1；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。