恭喜朗姆研究公司賴鋒源獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜朗姆研究公司申請的專利在室調節中的抗氧化保護層獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111448640B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201880079241.6，技術領域涉及：H01L21/02；該發明授權在室調節中的抗氧化保護層是由賴鋒源;龔波;袁光璧;許晨華;巴德里·瓦拉達拉簡設計研發完成，并于2018-12-06向國家知識產權局提交的專利申請。
本在室調節中的抗氧化保護層在說明書摘要公布了：在一些示例中，一種用于調節晶片處理室的方法包括：將所述室中的壓強設定至預定壓強范圍；將所述室中的溫度設定至預定溫度范圍；并且將處理氣體混合物供應至所述室內的氣體分配裝置。在所述室內點燃等離子體并且監控所述室中的狀態。基于檢測到所監控的所述狀態到達或越過閾值而實施室調節操作。所述室調節操作可以包括：將預調節膜沉積于所述室的內表面上，將碳氧化硅SiCO膜沉積于所述預調節膜上，以及將保護層沉積于所述SiCO膜上。
本發明授權在室調節中的抗氧化保護層在權利要求書中公布了：1.一種用于調節襯底處理室的方法，所述方法包括：將所述襯底處理室中的壓強設定至預定壓強范圍內；將所述襯底處理室的溫度設定至預定溫度范圍內；將處理氣體混合物供應至所述襯底處理室內的氣體分配裝置，其中所述處理氣體混合物包括至少包含氧物質以及氦或氬氣的氣體；在所述襯底處理室內點燃等離子體：監控所述襯底處理室中的狀態；檢測所監控的所述狀態到達或越過閾值；基于檢測到所監控的所述狀態到達或越過閾值而實施襯底處理室調節操作，其中所述襯底處理室調節操作包括：在所述襯底處理室中，通過原子層沉積將預調節膜沉積于所述襯底處理室的內表面上，在所述襯底處理室中，通過遠程等離子體化學氣相沉積將碳氧化硅膜沉積于所述預調節膜上，以及在所述襯底處理室中，通過化學氣相沉積將保護層沉積于所述碳氧化硅膜上，其中所述保護層的碳含量與所述碳氧化硅膜不同。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人朗姆研究公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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