恭喜朗姆研究公司阿德里安·拉沃伊獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜朗姆研究公司申請的專利碳膜的原子層沉積獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112005339B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：201980022653.0，技術領域涉及：H01L21/02；該發(fā)明授權碳膜的原子層沉積是由阿德里安·拉沃伊設計研發(fā)完成，并于2019-03-15向國家知識產權局提交的專利申請。
本碳膜的原子層沉積在說明書摘要公布了：使用具有鋁?碳鍵的含鋁反應物例如三烷基鋁與具有碳?鹵素鍵的含碳反應物例如碳氟化合物，例如，CF4或CH2F2之間的反應，通過原子層沉積將碳膜沉積在半導體襯底上。該方法包括順序地將反應物引入處理室，在半導體襯底的表面上形成一種或兩種反應物的吸附限制層，并使含鋁反應物與含碳反應物反應以形成量受到吸附受限反應物層限制的碳層。從處理室中去除含鋁副產物。這樣的碳層可用于間隙填充應用中，例如在3DNAND制造中，以及在自對準雙圖案化工藝中用作隔離物。
本發(fā)明授權碳膜的原子層沉積在權利要求書中公布了：1.一種在處理室中的半導體襯底的表面上形成碳層的方法，該方法包括：a將含鋁反應物引入所述處理室，其中所述含鋁反應物具有至少一個鋁-碳鍵；b將含碳反應物引入所述處理室，其中所述含碳反應物具有至少一個碳-鹵素鍵，并且其中所述含碳反應物不同于所述含鋁反應物；c在所述含鋁反應物和所述含碳反應物中的一者或兩者在所述半導體襯底的所述表面上形成吸附受限層的條件下，使所述含鋁反應物和所述含碳反應物中的至少一者吸附到所述半導體襯底的所述表面上；以及d在所述含鋁反應物和所述含碳反應物中的至少一者已在所述半導體襯底的所述表面上形成吸附受限層之后，使所述含鋁反應物與所述含碳反應物反應，以在所述半導體襯底的所述表面上形成碳層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人朗姆研究公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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