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龍圖騰網恭喜無錫華潤上華科技有限公司申請的專利電容壓力傳感器及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114518186B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011301093.3，技術領域涉及：G01L1/14；該發明授權電容壓力傳感器及其制備方法是由張新偉;蔡清華;楊杰;顧堅儉;薛靜靜;楊萬青設計研發完成，并于2020-11-19向國家知識產權局提交的專利申請。

本電容壓力傳感器及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種電容壓力傳感器及其制備方法，包括：將基體襯底形成有絕緣介質層的一面與鍵合襯底鍵合，基體襯底與鍵合襯底之間未設置絕緣介質層的位置形成空腔結構；在基體襯底上形成與基體襯底電連接的第一電極，在鍵合襯底上形成與鍵合襯底電連接的第二電極；其中，基體襯底作為電容壓力傳感器的第一極板，鍵合襯底作為電容壓力傳感器的第二極板。本申請將基體襯底作為電容壓力傳感器的第一極板，鍵合襯底作為電容壓力傳感器的第二極板，處于第一極板和第二極板之間的空腔結構可充當電容壓力傳感器兩個電極之間的電介質材料，與現有技術相比，本申請制備電容壓力傳感器的工藝簡單，且便于批量生產。

本發明授權電容壓力傳感器及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種電容壓力傳感器的制備方法，其特征在于，包括：將基體襯底形成有絕緣介質層的一面與鍵合襯底鍵合，所述基體襯底與鍵合襯底之間未設置絕緣介質層的位置形成空腔結構；在所述基體襯底上形成與所述基體襯底電連接的第一電極，在所述鍵合襯底上形成與所述鍵合襯底電連接的第二電極；其中，所述基體襯底作為所述電容壓力傳感器的第一極板，所述鍵合襯底作為所述電容壓力傳感器的第二極板；所述第二電極與所述鍵合襯底遠離基體襯底的頂部接觸；所述鍵合襯底為形成有第二摻雜區的單晶硅材料的襯底，所述第二極板包括所述第二摻雜區，所述第二摻雜區是在鍵合形成所述空腔結構之后形成；形成第二摻雜區的步驟包括：在單晶硅材料的鍵合襯底上形成露出預設注入區的掩膜結構；通過注入工藝向掩膜結構露出的預設注入區注入第一導電類型雜質離子后，在預設注入區形成第二摻雜區；去除鍵合襯底表面的掩膜結構，得到位于鍵合襯底中的第二摻雜區。

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