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龍圖騰網(wǎng)恭喜日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體封裝獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN110349930B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-11發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：201810794528.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/485；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體封裝是由呂文隆設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2018-07-19向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體封裝在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：一種半導(dǎo)體封裝包含介電層和導(dǎo)電柱。所述介電層具有第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面。所述導(dǎo)電柱安置于所述介電層中。所述導(dǎo)電柱包含第一部分和安置于所述第一部分上方的第二部分。所述導(dǎo)電柱的所述第二部分從所述介電層的所述第二表面凹入。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體封裝在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種用于制造半導(dǎo)體封裝的方法，其包括：提供導(dǎo)電柱；在所述導(dǎo)電柱上形成犧牲元件；通過(guò)封裝材料encapsulant封裝encapsulating所述犧牲元件和所述導(dǎo)電柱；以及移除所述封裝材料的頂部部分和所述犧牲元件以暴露所述導(dǎo)電柱，使得所述封裝材料的剩余部分的上表面是粗糙的，其中移除所述封裝材料的所述頂部部分包括研磨、干式噴砂或濕式噴砂中的一或多個(gè)，其中移除所述犧牲元件并暴露所述導(dǎo)電柱包括使用加熱操作來(lái)熔融所述犧牲元件。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司，其通訊地址為：中國(guó)臺(tái)灣高雄市楠梓加工區(qū)經(jīng)三路26號(hào)郵編81170；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。