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龍圖騰網恭喜朗姆研究公司申請的專利非晶碳層的打開處理獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111684567B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-11發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980011696.9，技術領域涉及：H01L21/02；該發明授權非晶碳層的打開處理是由秦策;譚忠魁;毛伊莎;金艷莎;奧斯汀·凱西·福西特設計研發完成，并于2019-01-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本非晶碳層的打開處理在說明書摘要公布了：提供了一種用于打開在硬掩模下方的非晶碳層掩模的方法。打開非晶碳層掩模包括：執行一個或多個循環，其中每個循環包括非晶碳層掩模的打開階段和清潔階段。所述非晶碳層掩模的打開階段包括：使打開氣體流入等離子體處理室，其中所述打開氣體包括含氧組分；由所述打開氣體產生等離子體，所述等離子體在所述非晶碳層掩模中蝕刻特征；以及停止所述打開氣體的流動。所述清潔階段包括：使清潔氣體流入所述等離子體處理室，其中所述清潔氣體包括含氫組分、含碳組分和含鹵素組分；由所述清潔氣體產生等離子體；以及停止所述清潔氣體流入等離子處理室。

本發明授權非晶碳層的打開處理在權利要求書中公布了：1.一種用于打開在硬掩模下方的非晶碳層掩模的方法，其包括在等離子體處理室中執行一個或多個循環，其中每個循環包括：非晶碳層掩模的打開階段，其包括：使打開氣體流入等離子體處理室，其中所述打開氣體包括含氧組分；在所述等離子體處理室中由所述打開氣體產生等離子體，其中所述等離子體在所述非晶碳層掩模中蝕刻特征；以及停止所述打開氣體流入所述等離子體處理室；和清潔階段，其包括：使清潔氣體流入所述等離子體處理室，其中所述清潔氣體包括含氫組分、含碳組分和含鹵素組分；在所述等離子體處理室中由所述清潔氣體產生等離子體；以及停止所述清潔氣體流入所述等離子處理室，并且其中所述非晶碳層掩模的打開階段在所述非晶碳層掩模中的特征上形成重新沉積的硬掩模，并且其中所述清潔階段去除所述重新沉積的硬掩模并將含碳層沉積在所述非晶碳層掩模中的所述特征的側壁上。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人朗姆研究公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。