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龍圖騰網恭喜京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司申請的專利薄膜晶體管及其制造方法、陣列基板和顯示裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114784115B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-11發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210467348.6，技術領域涉及：H10D30/67；該發明授權薄膜晶體管及其制造方法、陣列基板和顯示裝置是由閆雷;李峰;方業周;樊君;李磊;孟艷艷;姚磊;薛進進;王成龍;王金鋒;候林;郭志軒設計研發完成，并于2019-01-29向國家知識產權局提交的專利申請。

本薄膜晶體管及其制造方法、陣列基板和顯示裝置在說明書摘要公布了：本公開提供了一種薄膜晶體管及其制造方法、陣列基板和顯示裝置。所述薄膜晶體管包括：位于襯底一側的有源層；第一層間電介質層，位于所述有源層遠離所述襯底的一側；源極，貫穿所述第一層間電介質層、且連接到所述有源層；第二層間電介質層，位于所述第一層間電介質層遠離所述有源層的一側、且覆蓋所述源極；和漏極，包括第一部分，所述第一部分貫穿所述第二層間電介質層和所述第一層間電介質層、且連接到所述有源層。

本發明授權薄膜晶體管及其制造方法、陣列基板和顯示裝置在權利要求書中公布了：1.一種薄膜晶體管，包括：位于襯底一側的有源層、遮光層和柵極，所述遮光層位于所述襯底與所述有源層之間，所述有源層在所述襯底上的正投影與所述遮光層在所述襯底上的正投影重疊；第一層間電介質層，位于所述有源層遠離所述襯底的一側；源極，貫穿所述第一層間電介質層、且連接到所述有源層，存在一個截面，在該截面中，所述源極在所述襯底上的正投影與所述遮光層在所述襯底上的正投影不重疊；第二層間電介質層，位于所述第一層間電介質層遠離所述有源層的一側、且覆蓋所述源極；和漏極，包括第一部分和與所述第一部分連接且被配置為與第一電極連接的第二部分，所述第一部分貫穿所述第二層間電介質層和所述第一層間電介質層、且連接到所述有源層，所述第二部分位于所述第二層間電介質層遠離所述第一層間電介質層的一側，其中：所述第二部分被配置為與所述第一電極連接的區域在所述襯底上的正投影與所述柵極在所述襯底上的正投影部分重疊。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司，其通訊地址為：100015 北京市朝陽區酒仙橋路10號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。