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龍圖騰網(wǎng)恭喜現(xiàn)代自動車株式會社;起亞自動車株式會社申請的專利半導(dǎo)體裝置及其制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN110444606B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-04發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201811333707.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D8/60；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置及其制造方法是由千大煥;周洛龍?jiān)O(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2018-11-09向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體裝置及其制造方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法。半導(dǎo)體裝置可以包括：n型層、p+型區(qū)域、p?型區(qū)域、第一電極和第二電極，所述n型層設(shè)置在襯底的第一表面上；所述p+型區(qū)域設(shè)置在襯底的第一表面上；所述p?型區(qū)域設(shè)置在n型層的頂表面上；所述第一電極設(shè)置在p+型區(qū)域上和p?型區(qū)域上；所述第二電極設(shè)置在襯底的第二表面上；其中，p+型區(qū)域的側(cè)表面和n型層的側(cè)表面接觸，并且p+型區(qū)域的厚度與n型層的厚度和p?型區(qū)域的厚度相同。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體裝置，其包括：n型層，其設(shè)置在襯底的第一表面上；p+型區(qū)域，其設(shè)置在襯底的第一表面上；p-型區(qū)域，其設(shè)置在所述n型層的頂表面上；第一電極，其設(shè)置在所述p+型區(qū)域的頂表面上和所述p-型區(qū)域的頂表面上；第二電極，其設(shè)置在襯底的第二表面上；其中，所述p+型區(qū)域的側(cè)表面和所述n型層的側(cè)表面接觸，從而所述p+型區(qū)域與所述n型層形成PN結(jié)；所述p+型區(qū)域的厚度與所述n型層的厚度和所述p-型區(qū)域的厚度的總和相同；所述第一電極包括設(shè)置在所述p-型區(qū)域的頂表面上的第一金屬層和設(shè)置在所述第一金屬層上的第二金屬層；所述第一金屬層與所述p-型區(qū)域連續(xù)接觸，從而所述第一金屬層與所述p-型區(qū)域形成肖特基結(jié)；所述PN結(jié)的耗盡層與所述肖特基結(jié)的耗盡層的延伸方向不同；所述p+型區(qū)域的離子摻雜濃度高于所述p-型區(qū)域的離子摻雜濃度。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人現(xiàn)代自動車株式會社;起亞自動車株式會社，其通訊地址為：韓國首爾；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。