恭喜愛思開啟方半導體有限公司金寧培獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜愛思開啟方半導體有限公司申請的專利具有高壓場效應晶體管和結型場效應晶體管的半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110246838B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201811433529.7，技術領域涉及：H10D84/40；該發明授權具有高壓場效應晶體管和結型場效應晶體管的半導體器件是由金寧培設計研發完成，并于2018-11-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本具有高壓場效應晶體管和結型場效應晶體管的半導體器件在說明書摘要公布了：本發明涉及具有高壓場效應晶體管和結型場效應晶體管的半導體器件。描述了一種半導體器件，該半導體器件包括：設置在襯底中的第一N型阱區和與第一N型阱區接觸的第二N型阱區；設置在第一N型阱區中的源極區；設置在第二N型阱區中的漏極區；以及與漏極區間隔開設置的第一柵電極和第二柵電極。在平面圖中，源極區在垂直于第一柵電極或第二柵電極的方向上的最大垂直長度大于漏極區在該方向上的最大垂直長度。
本發明授權具有高壓場效應晶體管和結型場效應晶體管的半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，包括：第一結型場效應晶體管JFET，其包括：設置在襯底中的第一N型阱區；與所述第一N型阱區鄰接的第二N型阱區；設置在所述第一N型阱區中的第一JFET源極區；設置在所述第二N型阱區中的公共漏極區；以及第一高壓場效應晶體管HVFET，其包括：形成在所述襯底中的第一P型阱區；設置在所述第一P型阱區中的第一HVFET源極區；所述公共漏極區，其設置在所述第二N型阱區中，并由所述第一JFET和所述第一HVFET共用；以及第一柵電極，其形成在所述第一P型阱區上，并設置在所述第一HVFET源極區與所述公共漏極區之間。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人愛思開啟方半導體有限公司，其通訊地址為：韓國；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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