恭喜三星電子株式會社柳炳贊獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜三星電子株式會社申請的專利半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN109768042B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-01發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201811316090.X，技術領域涉及：H10D84/83；該發明授權半導體器件是由柳炳贊;俞宗昊;李炯宗設計研發完成，并于2018-11-06向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件在說明書摘要公布了：一種半導體器件包括：下層間絕緣膜，包括彼此相鄰的第一溝槽和第二溝槽；第一柵極結構，位于第一溝槽內，并且在第一方向上延伸；第二柵極結構，位于第二溝槽內，并且在第一方向上延伸；源極漏極，與第一柵極結構和第二柵極結構相鄰；上層間絕緣膜，位于下層間絕緣膜上；以及連接到源極漏極的接觸部，接觸部位于上層間絕緣膜和下層間絕緣膜中，其中，接觸部包括第一側壁和第二側壁，接觸部的第一側壁和接觸部的第二側壁彼此不對稱，并且接觸部不與第一柵極結構和第二柵極結構在豎直方向上交迭。
本發明授權半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，包括：下層間絕緣膜，包括彼此相鄰的第一溝槽和第二溝槽；第一柵極結構，位于所述第一溝槽內，并且在第一方向上延伸；第二柵極結構，位于所述第二溝槽內，并且在所述第一方向上延伸；源極漏極，與所述第一柵極結構和所述第二柵極結構相鄰；上層間絕緣膜，位于所述下層間絕緣膜上；以及連接到所述源極漏極的接觸部，所述接觸部位于所述上層間絕緣膜和所述下層間絕緣膜中，其中，所述接觸部包括面對所述第一柵極結構的第一側壁和與所述第一側壁相對且面對所述第二柵極結構的第二側壁，其中，所述接觸部的第一側壁與所述接觸部的第二側壁彼此不對稱，并且其中，所述接觸部不與所述第一柵極結構和所述第二柵極結構在豎直方向上交迭。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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