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龍圖騰網(wǎng)恭喜三星電子株式會(huì)社申請(qǐng)的專(zhuān)利其中具有增強(qiáng)的擦除控制電路的非易失性存儲(chǔ)器器件獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN110619913B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-01發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：201910509505.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G11C16/14；該發(fā)明授權(quán)其中具有增強(qiáng)的擦除控制電路的非易失性存儲(chǔ)器器件是由尹世元;金真憐;樸一漢;徐賢;任琫淳設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-06-13向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本其中具有增強(qiáng)的擦除控制電路的非易失性存儲(chǔ)器器件在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：提供了其中具有增強(qiáng)的擦除控制電路的非易失性存儲(chǔ)器器件。一種存儲(chǔ)器器件包括在下層襯底上的非易失性存儲(chǔ)器單元的垂直NAND串陣列。提供了一種擦除控制電路，其被配置為在擦除垂直NAND串陣列中的非易失性存儲(chǔ)器單元的操作期間用具有不相等幅度的相應(yīng)擦除電壓驅(qū)動(dòng)電耦合到非易失性存儲(chǔ)器單元的垂直NAND串陣列的多條位線。這種擦除控制電路還可以被配置為在擦除垂直NAND串陣列中的非易失性存儲(chǔ)器單元的操作期間用第一擦除電壓驅(qū)動(dòng)所述多條位線中的第一位線達(dá)第一持續(xù)時(shí)間，并且用第二擦除電壓驅(qū)動(dòng)所述多條位線中的第二位線達(dá)與所述第一持續(xù)時(shí)間不相等的第二持續(xù)時(shí)間。

本發(fā)明授權(quán)其中具有增強(qiáng)的擦除控制電路的非易失性存儲(chǔ)器器件在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種存儲(chǔ)器器件，包括：非易失性存儲(chǔ)器單元陣列，具有在第一方向上彼此隔開(kāi)并且在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的多個(gè)組；至少一條第一位線，電耦合到所述多個(gè)組的非易失性存儲(chǔ)器單元中的第一組，并且在所述第二方向上延伸；至少一條第二位線，電耦合到所述多個(gè)組的非易失性存儲(chǔ)器單元中的第二組，并且在所述第二方向上延伸；和擦除控制電路，被配置為在分別擦除所述多個(gè)組的非易失性存儲(chǔ)器單元中的第一組和所述多個(gè)組的非易失性存儲(chǔ)器單元中的第二組的操作期間，用時(shí)間上至少部分重疊的、不相等的第一擦除電壓和第二擦除電壓驅(qū)動(dòng)所述至少一條第一位線和所述至少一條第二位線。

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