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龍圖騰網恭喜半導體元件工業(yè)有限責任公司申請的專利用于降低氮化鎵晶體管中柵極電壓振蕩的可變電阻獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111092119B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-01發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：201910990760.4，技術領域涉及：H10D30/47；該發(fā)明授權用于降低氮化鎵晶體管中柵極電壓振蕩的可變電阻是由J·羅伊格-吉塔特;A·康斯坦特;F·J·G·德克勒克設計研發(fā)完成，并于2019-10-18向國家知識產權局提交的專利申請。

本用于降低氮化鎵晶體管中柵極電壓振蕩的可變電阻在說明書摘要公布了：本發(fā)明題為“用于降低氮化鎵晶體管中柵極電壓振蕩的可變電阻”。本發(fā)明提供了一種半導體晶體管器件，該半導體晶體管器件包括GaN晶體管，該GaN晶體管包括漏極、柵極和源極，GaN晶體管具有驅動電壓，該驅動電壓施加在柵極和源極兩端，并且被配置為在與GaN晶體管的導通狀態(tài)相關聯(lián)的導通電壓和與GaN晶體管的關斷狀態(tài)相關聯(lián)的關斷電壓之間切換。半導體晶體管器件還包括可變柵極?源極電阻器，該可變柵極?源極電阻器連接在柵極和源極之間并具有可變電阻，該可變電阻響應于驅動電壓當在GaN晶體管的導通狀態(tài)和關斷狀態(tài)之間切換時的變化而改變。

本發(fā)明授權用于降低氮化鎵晶體管中柵極電壓振蕩的可變電阻在權利要求書中公布了：1.一種半導體晶體管器件，包括：GaN晶體管，所述GaN晶體管包括漏極、柵極和源極，所述GaN晶體管具有驅動電壓，所述驅動電壓施加在所述柵極和所述源極兩端，并且被配置為在與所述GaN晶體管的導通狀態(tài)相關聯(lián)的導通電壓和與所述GaN晶體管的關斷狀態(tài)相關聯(lián)的關斷電壓之間切換，其中，所述驅動電壓響應于在所述導通狀態(tài)和所述關斷狀態(tài)之間的轉換而振蕩，所述驅動電壓的振蕩具有高于所述驅動電壓的切換頻率的諧振頻率；和可變柵極-源極電阻器，所述可變柵極-源極電阻器連接在所述柵極和所述源極之間并具有可變電阻，所述可變電阻響應于所述驅動電壓當在所述GaN晶體管的所述導通狀態(tài)和所述關斷狀態(tài)之間切換時的變化而改變，其中，所述可變柵極-源極電阻器包括電阻介電區(qū)，所述電阻介電區(qū)的長度短于使得所述可變柵極-源極電阻器的所述可變電阻隨所述GaN晶體管的所述驅動電壓而直接改變且隨所述驅動電壓的驅動頻率而間接改變的閾值長度。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人半導體元件工業(yè)有限責任公司，其通訊地址為：美國亞利桑那；或者聯(lián)系龍圖騰網官方客服，聯(lián)系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。