恭喜旺宏電子股份有限公司林威良獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜旺宏電子股份有限公司申請的專利存儲器元件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113053905B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-01發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010000846.0，技術領域涉及：H10B41/35；該發明授權存儲器元件及其制備方法是由林威良;蔡文哲設計研發完成，并于2020-01-02向國家知識產權局提交的專利申請。
本存儲器元件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種存儲器元件及其制備方法，存儲器元件包括一襯底、一疊層結構、多個通道結構、一存儲層以及多個隔離結構。襯底具有一上表面。疊層結構位于襯底的上表面上，其中疊層結構包括依序疊層于襯底上的一第一絕緣層、一第一導電層、一第二絕緣層、一第二導電層以及一第三絕緣層。通道結構穿過疊層結構并電性連接于襯底，其中各通道結構包括一上部部分及一下部部分，上部部分對應于第二導電層，下部部分對應于第一導電層。存儲層位于第二導電層與上部部分之間。隔離結構穿過疊層結構以將疊層結構分隔為多個次疊層。
本發明授權存儲器元件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種存儲器元件，包括：一襯底，具有一上表面；一疊層結構，位于該襯底的該上表面上，其中該疊層結構包括依序疊層于該襯底上的一第一絕緣層、一第一導電層、一第二絕緣層、一第二導電層以及一第三絕緣層；多個通道結構，穿過該疊層結構并電性連接于該襯底，其中各該通道結構包括一上部部分及一下部部分，該上部部分對應于該第二導電層，該下部部分對應于該第一導電層；一存儲層，位于該第二導電層與該上部部分之間；多個隔離結構，穿過該疊層結構以將該疊層結構分隔為多個次疊層；以及一熱氧化層，位于該第一導電層與各該通道結構之間，該熱氧化層直接接觸該第一導電層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人旺宏電子股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹科學工業園區力行路16號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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