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龍圖騰網(wǎng)恭喜ASML荷蘭有限公司申請(qǐng)的專利用于控制光刻系統(tǒng)的方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113614645B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-01發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202080022989.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G03F7/20；該發(fā)明授權(quán)用于控制光刻系統(tǒng)的方法是由O·F·J·努德曼;安東尼厄斯·西奧多勒斯·威廉慕斯·肯彭;簡(jiǎn)·伯納德·普萊徹爾墨斯·范斯庫(kù)特;M·A·范登布林克設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-02-20向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本用于控制光刻系統(tǒng)的方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：一種光刻系統(tǒng)，包括輻射源和光刻設(shè)備。輻射源將輻射提供至光刻設(shè)備。光刻設(shè)備使用輻射將圖案成像至位于半導(dǎo)體襯底上的光致抗蝕劑層上的多個(gè)目標(biāo)區(qū)域上。成像需要預(yù)定劑量的輻射。該系統(tǒng)被控制為根據(jù)預(yù)定劑量的量值來(lái)設(shè)定輻射的功率水平。

本發(fā)明授權(quán)用于控制光刻系統(tǒng)的方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種控制包括輻射源和光刻設(shè)備的光刻系統(tǒng)的方法，其中：所述輻射源被配置為將輻射提供至所述光刻設(shè)備；所述光刻設(shè)備被配置為使用所述輻射將圖案成像至位于半導(dǎo)體襯底上的光致抗蝕劑層上的多個(gè)目標(biāo)區(qū)域上；所述成像需要預(yù)定劑量的輻射；所述方法包括：根據(jù)所述預(yù)定劑量的量值來(lái)設(shè)定所述輻射的功率水平；并且其中，用于在所述多個(gè)目標(biāo)區(qū)域上進(jìn)行所述成像的總時(shí)間長(zhǎng)度包括：第一時(shí)間長(zhǎng)度，所述第一時(shí)間長(zhǎng)度用于在所述半導(dǎo)體襯底的第一通過(guò)過(guò)程中在所述多個(gè)目標(biāo)區(qū)域上進(jìn)行所述成像；以及第二時(shí)間長(zhǎng)度，所述第二時(shí)間長(zhǎng)度用于在所述半導(dǎo)體襯底的第二通過(guò)過(guò)程中在所述多個(gè)目標(biāo)區(qū)域中的一個(gè)或多個(gè)特定目標(biāo)區(qū)域上進(jìn)行所述成像，所述一個(gè)或多個(gè)特定目標(biāo)區(qū)域未能在所述第一通過(guò)過(guò)程中接收所述預(yù)定劑量；并且其中，所述方法包括：設(shè)定所述輻射的功率水平，以使所述總時(shí)間長(zhǎng)度保持為基本上處于或接近最小值。

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