恭喜中國科學院微電子研究所;真芯(北京)半導體有限責任公司安重鎰獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜中國科學院微電子研究所;真芯(北京)半導體有限責任公司申請的專利在襯底表面形成膜的方法、設備及形成的膜獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114657540B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-01發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011551936.5，技術領域涉及：C23C16/455；該發明授權在襯底表面形成膜的方法、設備及形成的膜是由安重鎰;金成基;項金娟;李亭亭;劉青設計研發完成，并于2020-12-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本在襯底表面形成膜的方法、設備及形成的膜在說明書摘要公布了：本申請涉及半導體技術領域，具體涉及一種在襯底表面形成膜的方法，包括以下步驟：將前驅體氣化成前驅體蒸氣；在前驅體蒸氣輸送至沉積腔室內的過程中，通過先壓縮再膨脹提高前驅體蒸氣的供氣流量，以在沉積腔室的襯底表面形成厚度均勻的膜。提高了前驅體蒸氣的供氣流量，這樣可以將前驅體蒸氣輸送到襯底中心以及沉積腔室的頂部區域，避免襯底中心前驅體蒸氣供應不足，從而在沉積腔室的襯底表面形成厚度均勻的膜。
本發明授權在襯底表面形成膜的方法、設備及形成的膜在權利要求書中公布了：1.一種在襯底表面形成膜的方法，其特征在于，包括以下步驟：使用氣化裝置將前驅體氣化成前驅體蒸氣；使用沉積腔室接收所述前驅體蒸氣；所述氣化裝置與所述沉積腔室之間設置有流量控制閥門，所述前驅體蒸氣經由所述流量控制閥門流入所述沉積腔室，在所述前驅體蒸氣輸送至沉積腔室內的過程中，關閉流量控制閥門1-3秒后再將其打開，通過先壓縮再膨脹提高所述前驅體蒸氣的供氣流量，以在所述沉積腔室的襯底表面形成厚度均勻的膜。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院微電子研究所;真芯(北京)半導體有限責任公司，其通訊地址為：100029 北京市朝陽區北土城西路3號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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