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龍圖騰網恭喜合肥工業大學申請的專利一種太赫茲信號探測裝置及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115249890B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-01發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110468598.7，技術領域涉及：H01Q1/38；該發明授權一種太赫茲信號探測裝置及其制備方法是由賴偉恩;劉根;袁浩設計研發完成，并于2021-04-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種太赫茲信號探測裝置及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提出一種太赫茲信號探測裝置及其制備方法，包括：襯底；第一電極形成于襯底上，且位于襯底的一側。第二電極形成于襯底上，且與第一電極關于襯底的中心對稱設置。第一半導體層形成于第一電極和第二電極之間，且連接第一電極和第二電極。絕緣層形成于第一半導體層上。第三電極形成于絕緣層上，且位于絕緣層的一側。第四電極形成于絕緣層上，且與第三電極關于襯底的中心對稱設置。第二半導體層形成于第三電極和第四電極之間，且連接第三電極和第四電極。其中，第一電極和第二電極的中心連線垂直于第三電極和第四電極的中心連線。本發明提出的太赫茲信號探測裝置及其制備方法結構新穎，制備簡單，具有生產和應用價值。

本發明授權一種太赫茲信號探測裝置及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種太赫茲信號探測裝置，其特征在于，包括：襯底；第一電極，形成于所述襯底上，且位于所述襯底的一側；第二電極，形成于所述襯底上，且與所述第一電極關于所述襯底的中心對稱設置；第一半導體層，形成于所述第一電極和所述第二電極之間，且連接所述第一電極和所述第二電極；絕緣層，形成于所述第一半導體層上；第三電極，形成于所述絕緣層上，且位于所述絕緣層的一側；第四電極，形成于所述絕緣層上，且與所述第三電極關于所述襯底的中心對稱設置；第二半導體層，形成于所述第三電極和所述第四電極之間，且連接所述第三電極和所述第四電極；其中，所述第一電極作為信號天線設置在所述襯底上表面的一側；所述第一電極、所述第二電極、所述第三電極以及所述第四電極的結構和尺寸相同；所述第一電極、所述第二電極、所述第三電極以及所述第四電極在襯底上的正投影不重合；所述第一電極和所述第二電極的中心連線垂直于所述第三電極和所述第四電極的中心連線。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人合肥工業大學，其通訊地址為：230009 安徽省合肥市包河區屯溪路193號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。