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龍圖騰網恭喜英諾賽科(蘇州)半導體有限公司申請的專利一種功率器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119384003B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411959341.1，技術領域涉及：H10D30/47；該發明授權一種功率器件及其制備方法是由趙杰;陳扶;劉艷設計研發完成，并于2024-12-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種功率器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種功率器件及其制備方法，功率器件包括：外延結構包括有源區和邊緣區，邊緣區環繞有源區；邊緣區包括第一邊緣區和第二邊緣區，外延結構的第一邊緣區為電隔離區域；第二邊緣區內的溝道層與勢壘層的界面處具有導電溝道；摻雜的氮化物半導體層包括相互連接的第一區域和第二區域；第一區域覆蓋外延結構的部分有源區，第二區域在勢壘層的垂直投影位于第二邊緣區的導電溝道內，第二邊緣區的導電溝道的邊緣與第二區域的邊緣在勢壘層的垂直投影之間的距離大于第一預設值；鈍化層包括第一溝槽和第二溝槽；源極位于第一溝槽內，漏極位于第二溝槽內。本發明可以降低柵極漏電，提高器件的可靠性。

本發明授權一種功率器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種功率器件，其特征在于，包括：外延結構，所述外延結構包括依次層疊設置的襯底、緩沖層、溝道層和勢壘層；所述外延結構包括有源區和邊緣區，所述邊緣區環繞有源區；所述邊緣區包括第一邊緣區和第二邊緣區，所述外延結構的第一邊緣區為電隔離區域；所述第二邊緣區內的所述溝道層與所述勢壘層的界面處具有導電溝道；摻雜的氮化物半導體層，所述摻雜的氮化物半導體層位于所述勢壘層遠離所述襯底的一側；所述摻雜的氮化物半導體層包括相互連接的第一區域和第二區域；所述第一區域覆蓋所述外延結構的部分有源區，所述第二區域在所述勢壘層的垂直投影位于所述第二邊緣區的導電溝道內，所述第二邊緣區的導電溝道的邊緣與所述第二區域的邊緣在所述勢壘層的垂直投影之間的距離大于第一預設值；鈍化層，所述鈍化層位于所述摻雜的氮化物半導體層遠離所述外延結構的一側；所述鈍化層包括第一溝槽和第二溝槽，所述第一溝槽在所述外延結構上的垂直投影與所述有源區交疊，所述第二溝槽在所述外延結構上的垂直投影與所述有源區交疊；源極和漏極，所述源極位于所述第一溝槽內，所述漏極位于所述第二溝槽內。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人英諾賽科(蘇州)半導體有限公司，其通訊地址為：215000 江蘇省蘇州市吳江區汾湖高新開發區新黎路98號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。