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龍圖騰網恭喜華南理工大學申請的專利一種鈮酸鋰光子芯片的混合存算架構及其實現方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119511600B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510059927.0，技術領域涉及：G02F1/21；該發明授權一種鈮酸鋰光子芯片的混合存算架構及其實現方法是由周長見;陳基偉;孫一泓設計研發完成，并于2025-01-15向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種鈮酸鋰光子芯片的混合存算架構及其實現方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種鈮酸鋰光子芯片的混合存算架構及其實現方法。所述架構包括鈮酸鋰光路、光電轉換模塊以及鈮酸鋰憶阻器存算模塊。鈮酸鋰光路包括光耦合入射模塊、級聯調制模塊、光耦合出射模塊、第一并行波導和第二并行波導；通過鈮酸鋰光路實現光電轉換模塊以及憶阻器存算模塊之間的高頻信號通信。本發明的互連基于集成光學實現，克服了傳統電子存算芯片帶寬不足且熱管理成本過高的難點；其次，本發明可以在無外部電偏置下直接由波導中的光開關控制工作，芯片存算將只受限于憶阻器開關速度GHz。本發明適用于需求低功耗、高帶寬的并行計算、如機器學習推理和神經計算領域。

本發明授權一種鈮酸鋰光子芯片的混合存算架構及其實現方法在權利要求書中公布了：1.一種鈮酸鋰光子芯片的混合存算架構，其特征在于：包括鈮酸鋰光路，光電轉換模塊（3）以及憶阻器存算模塊（4）；所述鈮酸鋰光路包括光耦合入射模塊（1）、級聯調制模塊（2）、光耦合出射模塊（5）、第一并行波導（61）和第二并行波導（62）；光耦合入射模塊（1）包括入射光柵耦合器（11）和1：1分束器（12）；級聯調制模塊（2）包括一個級聯馬赫曾德爾調制器（21）；光耦合出射模塊（5）包括合束器（51）和出射光柵耦合器（52）；1：1分束器（12）的兩個輸出端分別連接級聯馬赫曾德爾調制器（21）的兩個輸入端，級聯馬赫曾德爾調制器（21）的兩個輸出端分別連接第一并行波導（61）和第二并行波導（62）一端，第一并行波導（61）和第二并行波導（62）的另一端分別連接合束器（51）；所述光電轉換模塊（3）包括一個異質集成的光電探測器（31），光電探測器（31）兩端的金-半接觸電極對稱設置，且金-半接觸電極的覆蓋區域位于第一并行波導（61）和第二并行波導（62）上方；所述憶阻器存算模塊（4）包括一個鈮酸鋰憶阻器（41）；光電探測器（31）連接鈮酸鋰憶阻器（41）；光耦合入射模塊（1）接收待處理的光信號，待處理的光信號經入射光柵耦合器（11）耦合到鈮酸鋰光路中，由1：1分束器（12）將待處理的光信號分為兩路相干光信號并送入級聯調制模塊（2）；兩路相干光信號分別由級聯馬赫曾德爾調制器（21）的電學載波進行強度調制或開關控制，并將處理后的兩路相干光信號分別經過第一并行波導（61）和第二并行波導（62）平行導入光電轉換模塊（3）；第一并行波導（61）和第二并行波導（62）中的光信號由倏逝波耦合進入正上方的光電探測器（31）的金-半接觸區，光電探測器（31）根據第一并行波導（61）和第二并行波導（62）中的相干光信號的開關狀態，基于光電效應產生電子-空穴對并由金-半勢壘驅動分離產生相反的光電流實現光信號的探測，進而實現異或門邏輯計算；光電探測器（31）產生的相反的光電流輸入鈮酸鋰憶阻器（41），驅動鈮酸鋰憶阻器（41）切換存儲狀態，將計算結果存儲在鈮酸鋰憶阻器（41）中；合束器（51）將第一并行波導（61）和第二并行波導（62）中未被光電探測器（31）吸收的余光合束，再由出射光柵耦合器（52）導出鈮酸鋰光路。

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