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龍圖騰網恭喜蘇州立琻半導體有限公司申請的專利半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114093995B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111318036.0，技術領域涉及：H10H20/831；該發明授權半導體器件是由樸修益;成演準;金珉成;李容京;李恩得設計研發完成，并于2017-06-20向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體器件在說明書摘要公布了：實施例公開了一種半導體器件，包括：襯底；發光結構，在發光結構的厚度方向上包括第一導電半導體層、第二導電半導體層、設置在第一導電半導體層和第二導電半導體層之間的有源層、以及穿過第二導電半導體層和有源層、以及部分第一導電半導體層的多個凹槽；多個第一電極，電連接到第一導電半導體層；以及第二電極，電連接到第二導電半導體層，其中，多個第一電極接觸設置在多個凹槽的頂表面上的第一導電半導體層，其中，第二電極接觸第二導電半導體層，其中，第一面積：第二面積的范圍是從1：3至1：10，第一面積為多個第一電極和第一導電半導體層接觸的區域的面積，第二面積為第二電極和第二導電半導體層接觸的區域的面積。

本發明授權半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，包括：襯底；發光結構，在該發光結構的厚度方向上包括第一導電半導體層、第二導電半導體層、設置在所述第一導電半導體層和所述第二導電半導體層之間的有源層、以及穿過所述第二導電半導體層和所述有源層、以及部分所述第一導電半導體層的多個凹槽；多個第一電極，電連接到所述第一導電半導體層；以及第二電極，電連接到所述第二導電半導體層，其中，所述多個第一電極接觸設置在所述多個凹槽的頂表面上的所述第一導電半導體層，其中，所述第二電極接觸所述第二導電半導體層，其中，第一面積：第二面積的范圍是從1：3至1：10，所述第一面積為所述多個第一電極和所述第一導電半導體層接觸的區域的面積，所述第二面積為所述第二電極和所述第二導電半導體層接觸的區域的面積。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州立琻半導體有限公司，其通訊地址為：215499 江蘇省蘇州市太倉市常勝北路168號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。