恭喜三星電子株式會社;國際商業機器公司鄭在佑獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜三星電子株式會社;國際商業機器公司申請的專利包括可調四方亞鐵磁性哈斯勒化合物的器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111490154B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010076710.8，技術領域涉及：H10N50/10；該發明授權包括可調四方亞鐵磁性哈斯勒化合物的器件是由鄭在佑;馬赫什·G·薩曼特;斯圖爾特·S·P·帕金;雅里·費蘭特設計研發完成，并于2020-01-23向國家知識產權局提交的專利申請。
本包括可調四方亞鐵磁性哈斯勒化合物的器件在說明書摘要公布了：公開了一種包括可調四方亞鐵磁性哈斯勒化合物的器件。器件包括呈Mn3?xCoxGe形式的哈斯勒化合物，其中，0x≤1，其中Co占哈斯勒化合物的至少0.4原子百分比。器件還包括在001方向上取向并且呈YMn1+d形式的基底，其中Y包括選自于由Ir和Pt組成的組中的元素，并且0≤d≤4。四方哈斯勒化合物和基底彼此接近，從而使自旋極化電流從四方哈斯勒化合物和基底中的一個穿過四方哈斯勒化合物和基底中的另一個。一方面，器件還包括在室溫下是非磁性的多層結構。該結構包括Co和E的交替層。E包括包含Al的至少一個其它元素。該結構的組成由Co1?yEy表示，并且y在0.45至0.55的范圍內。
本發明授權包括可調四方亞鐵磁性哈斯勒化合物的器件在權利要求書中公布了：1.一種包括可調四方亞鐵磁性哈斯勒化合物的器件，所述器件包括：呈Mn3-xCoxGe形式的哈斯勒化合物，其中，0x≤1，其中Co占所述哈斯勒化合物的至少0.4原子百分比，并且所述哈斯勒化合物具有四方結構；以及基底，在001方向上取向并且呈YMn1+d形式，其中Y包括選自于由Ir和Pt組成的組中的元素，并且0≤d≤4，其中，所述哈斯勒化合物和所述基底彼此接近，從而使自旋極化電流從所述哈斯勒化合物和所述基底中的一個穿過所述哈斯勒化合物和所述基底中的另一個。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社;國際商業機器公司，其通訊地址為：韓國京畿道水原市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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