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龍圖騰網恭喜富士電機株式會社申請的專利絕緣柵極型半導體裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111725304B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010079044.3，技術領域涉及：H10D30/63；該發明授權絕緣柵極型半導體裝置是由宮下博行設計研發完成，并于2020-02-03向國家知識產權局提交的專利申請。

本絕緣柵極型半導體裝置在說明書摘要公布了：本公開提供一種能夠抑制單元間隔的增大、且能夠抑制由于溝槽底部周邊的下側埋入區與上側埋入區之間的相對位置的在制造工序中的偏移而導致的特性的偏差的絕緣柵極型半導體裝置。絕緣柵極型半導體裝置具備：第一導電型的載體輸送層，其由禁帶寬度比硅的禁帶寬度寬的半導體材料形成；第二導電型的下側埋入區，其埋入于載體輸送層的上部；多個第二導電型的上側埋入區，其分散地埋入于下側埋入區上；第二導電型的注入控制區，其設置于上側埋入區上；以及絕緣柵極構造，其對位于溝槽的側壁的注入控制區的表面勢進行控制，其中，在平面圖案中，溝槽為條狀，下側埋入區具有與溝槽分離設置的第一條部，多個上側埋入區分別間斷性地設置于第一條部上。

本發明授權絕緣柵極型半導體裝置在權利要求書中公布了：1.一種絕緣柵極型半導體裝置，其特征在于，具備：第一導電型的載體輸送層，其由禁帶寬度比硅的禁帶寬度寬的半導體材料形成；第二導電型的下側埋入區，其選擇性地埋入于所述載體輸送層的上部；多個第二導電型的上側埋入區，其在所述下側埋入區上分散地埋入于所述載體輸送層的上部；第二導電型的注入控制區，其設置于所述載體輸送層及所述上側埋入區上；以及絕緣柵極構造，其是使用去向所述下側埋入區的上表面的位置地貫通所述注入控制區的溝槽來構成的，對位于所述溝槽的側壁的所述注入控制區的表面勢進行控制，其中，所述溝槽的平面圖案為條狀并且沿第一方向延伸，在平面圖案中，所述下側埋入區具有第一條部，所述第一條部與所述溝槽分離設置并且沿所述第一方向延伸，所述多個第二導電型的上側埋入區分別間斷性地設置于所述第一條部上以使所述多個第二導電型的上側埋入區在所述第一方向上彼此間隔開。

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