恭喜重慶康佳光電科技有限公司楊順貴獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜重慶康佳光電科技有限公司申請的專利一種微發光二極管及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113540298B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010318485.4，技術領域涉及：H10H20/812；該發明授權一種微發光二極管及其制造方法是由楊順貴;黃國棟;林雅雯;黃嘉宏設計研發完成，并于2020-04-21向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種微發光二極管及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明涉及發光二極管領域，其包括依次層疊設置的第一半導體層、有源層和第二半導體層，所述第一半導體層和所述第二半導體層為不同類型的半導體層，所述有源層包括依次層疊的第一量子阱層及第二量子阱層，在所述第二量子阱層及所述第二半導體層上形成有納米環結構，所述第一量子阱層發射第一顏色的光，所述第二量子阱層與所述納米環側壁對應的部分發射第二顏色的光，所述第一顏色與所述第二顏色不相同，所述第一半導體層電性連接有第一電極，所述第二半導體層電性連接有第二電極。本發明還包括該微發光二極管的制造方法，用納米二氧化硅顆粒作為光罩制作納米環，會使原本量子阱應力釋放而使量子局限斯塔克效應減少而產生藍光。
本發明授權一種微發光二極管及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種微發光二極管，其特征在于，包括：依次層疊設置的第一半導體層、有源層和第二半導體層，所述第一半導體層和所述第二半導體層為不同類型的半導體層，所述有源層包括依次層疊的第一量子阱層及第二量子阱層，第一量子阱層上形成有多個納米環，所述納米環的側壁包括呈環狀且層疊設置的第二量子阱層及第二半導體層，第二量子阱層位于第一量子阱層與第二半導體層之間；所述第一量子阱層發射第一顏色的光，所述納米環側壁對應所述第二量子阱層的位置發射第二顏色的光，所述第一顏色與所述第二顏色不相同，所述第一半導體層電性連接有第一電極，所述第二半導體層電性連接有第二電極。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人重慶康佳光電科技有限公司，其通訊地址為：402760 重慶市璧山區璧泉街道鎢山路69號(1號廠房)；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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