恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司任飛獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113764503B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010492480.3，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權半導體結構及其形成方法是由任飛;徐娟設計研發完成，并于2020-06-03向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：本申請提供半導體結構及其形成方法，所述半導體的結構包括：半導體襯底，所述半導體襯底上形成有若干鰭；溝槽，位于所述半導體襯底中，分隔相鄰的有源區；隔離結構，位于所述半導體襯底上并環繞所述鰭底部，其中，所述隔離結構不填充所述溝槽并且封閉所述溝槽的頂部。本申請所述的半導體結構及其形成方法，在相鄰的有源區之間形成被空氣填充的溝槽，利用所述溝槽隔離相鄰的有源區，可以減少相鄰有源區之間的漏電。
本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：提供半導體襯底，所述半導體襯底上形成有若干鰭結構，所述半導體襯底和所述鰭結構上形成有第一介質層，所述第一介質層暴露所述鰭結構的部分底部表面，在所述半導體襯底中形成有溝槽，所述溝槽分隔相鄰的有源區；在所述溝槽頂部的表面外延生長封閉層，所述封閉層封閉所述溝槽頂部，所述溝槽被空氣填充；在所述第一介質層上以及封閉層上形成隔離材料層，所述隔離材料層填滿所述若干鰭結構之間的空間并且頂部表面高于所述第一介質層的頂部表面；固化所述隔離材料層并氧化所述封閉層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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